赵志斌,男,1977年9月生。 1999年、2005年在华北电力大学电工理论与新技术专业获得学士、博士学位。2007年被聘为副教授,2013年晋升为教授,2019年被聘为博士生导师。主要从事先进输电技术、电力系统电磁兼容等,目前主要致力于高压大功率电力电子器件特性与封装的相关研究,与全球能源互联网研究院合作致力于器件国产化的相...
赵志斌,男,博士,华北电力大学教授,博士生导师,主要从事电磁场数值计算、高压大功率电力电子器件封装与测试方面的研究工作。E-mail: zhibinzhao@ncepu.edu.cn 乔建申,男,华北电力大学硕士研究生,主要从事高压大功率电力电子器件封装与测试方...
赵志斌 2993人看过 ScholarID:CN-BZ739ERJ 华北电力大学电气与电子工程学院 被引频次 3252 成果数 350 H指数 28 G指数 55领域: 机械工程 期刊 66.6% 会议 31.1% 专著 0.3% 其它 2% 总计 350篇 2018年成果数41 2012年被引量315 全部年份 全部类型 全部作者 按时间降序 Time-domain and Frequency-domain ...
赵志斌 赵志斌,1999年毕业于华北电力大学 电力工程系电气技术专业, 获工学学士学位。2005年于 华北电力大学博士毕业。 研究方向为电气设备与电子 产品的电磁兼容测试与评估。
华北电力大学 赵志斌教授在会上作了题为“高压大功率压接型IGBT器件封装多物理量动态均衡相关研究”的报告,小编征得赵志斌教授同意,将报告分享给大家,欢迎关注! 报告节选: 作者介绍 赵志斌 博士,教授。2005 年4 月毕业于华北电力大学电...
赵志斌教授课题组围绕柔性直流输电稳态、暂态工况下的高压大功率IGBT器件建模难题,深入分析了不同工况下器件内部载流子物理过程及电热特性,提出了适用于IGBT器件开关过程模拟的高精度电路模型、适用于柔直换流阀组件内IGBT器件直通短路的暂态模型及器件内二极管浪涌电热特性仿真模型,所提器件开关模型在不同电压电流条件下的最...
赵志斌 中国 华北电力大学 电气与电子工程学院 教授 博导 学者ID:GAID10318536 同名学者 论文总数294+ 国际论文数182+ 知名学者引用 TOP引用学者 临床指南引用 订阅此学者 注册后可以免费订阅1位学者,订阅后可以查看全部论文及更多信息 学术论文 代表作 合作学者 学科 期刊 顶级期刊 Email 发文曾用名 机构轨迹 ...
赵志斌,男,1977年9月生。 1999年、2005年在华北电力大学电工理论与新技术专业获得学士、博士学位。2007年被聘为副教授,2013年晋升为教授,2019年被聘为博士生导师。 主要从事先进输电技术、电力系统电磁兼容等,目前主要致力于高压大功率电力电子器件特性与封装的相关研究,与全球能源互联网研究院合作致力于器件国产化的...
赞 分享 科研之友微信新浪微博Facebook分享链接 赵志斌 华北电力大学(保定) / 科研之友号:40457295 科研之友人员唯一编号 1 项目 26 成果 401 阅读 0 下载 5 被引 1 H-指数 主页 成果 相关人员 更多
基于栅极泄露电流的碳化硅MOSFET短路栅源极失效判定方法彭娇阳,孙鹏,张浩然,蔡雨萌,赵志斌DOI:10.13336/j.1003-6520.hve.20210572浏览全文 01研究背景 相较传统硅基器件,碳化硅MOSFET具有可耐受的温度和电压等级更高、导通损耗更低和开关速度更快...