Low CTE IC substrate materials-180-205-3901 x 10⁹4.8--0.015-- R-1515E/R-1410E High elasticity Low CTE Ultra-thin IC substrate materials--240-2703901 x 10⁹4.7--0.011-- R-1515K Low CTE IC substrate materials Designed to Improve Reliability---260--4.6--0.015-- R...
ST/意法半导体 TVS二极管 USBLC6-2P6 TVS Diodes / ESD Suppressors High Speed Interface Protection Low CapUSBLC6-2P6 35000 ST/意法半导体 原厂封装 最近批号 ￥1.0000元>=1 个 深圳德泰威尔科技有限公司 4年 查看下载 立即询价 查看电话 QQ联系 ...
K L Layout Versus Schematic Library Characterization LiDAR Light Guide Light Scattering Low Power DesignM Machine-Learned Force Fields Machine Vision Optics MACsec Protocol Mach-Zehnder Modulator Medical 3D Printing Medical Image Processing Medical Image Segmentation Metalens Microservices MISRA(Motor Industry...
熱伝導率:レーザーフラッシュ法,25˚C (W/m·K) 0.55 体積抵抗率:IPC-TM-650 2.5.17.1,C-96/35/90 (MΩ·cm) 1 x 10⁸ 表面抵抗:IPC-TM-650 2.5.17.1,C-96/35/90 (MΩ) 1 x 10⁸ 比誘電率(Dk))@1GHz:IPC-TM-650 2.5.5.9,C-24/23/50 4.6 比誘電率(Dk)@10GHz:IPC-...
パナソニックの半導体パッケージ向け基板材料「LEXCM GX」シリーズ:R-1515Kに関する商品情報、ドキュメントをご紹介いたします。
詳細は担当営業もしくはこちらのフォームからお問い合わせください。品番末尾の( )カッコ内の文字は当社における識別区分であり、UL認証の登録をしている品番には含まれておりません。ラインアップ 一般特性 項目試験方法条件単位 R-1515V R-1515K R-1515W ガラス転...
熱伝導率:レーザーフラッシュ法,25˚C (W/m·K)0.55 体積抵抗率:IPC-TM-650 2.5.17.1,C-96/35/90 (MΩ·cm)1 x 10⁸ 表面抵抗:IPC-TM-650 2.5.17.1,C-96/35/90 (MΩ)1 x 10⁸ 比誘電率(Dk))@1GHz:IPC-TM-650 2.5.5.9,C-24/23/504.6 ...
熱伝導率:レーザーフラッシュ法,25˚C (W/m·K) 0.52 体積抵抗率:IPC-TM-650 2.5.17.1,C-96/35/90 (MΩ·cm) - 表面抵抗:IPC-TM-650 2.5.17.1,C-96/35/90 (MΩ) - 比誘電率(Dk))@1GHz:IPC-TM-650 2.5.5.9,C-24/23/50 4.1 比誘電率(Dk)@10GHz:IPC-TM-650 2.5.5.5...