本稿では、SiCを中心にワイドバンドギャップ半導体を用いた次世代パワーデバイスの開発動向と当社での取り組みについて紹介する。 机译:SiC Power Device的研究和开发是一个草案H,在90岁的前半部分,600V-6A的SBD(肖特基势垒二极管)在2002年上半年可商购获得600V-6A的SBD(肖特基势垒二极管)。它成了...
1. はじめに:近年,再生可能エネルギー源として太陽電池への社会的期待が高まり,さらなる 低コスト化,および高効率化を目指した研究が盛んに行われている.太陽電池のコスト低減には 活性層の薄膜化が基本であるが,活性層を薄膜化することで光吸収の減少が生... M Kuramoto - 《Japan Society of...
機械学習力場関数であるモーメントテンソルポテンシャル(MTPs)は、原子間相互作用(エネルギー、フォース、およびストレス)を、第一原理(DFT)計算とほぼ同精度で1,000-10,000倍の効率で計算 古典的力場関数が未実装の複雑な系で、かつ第一原理計算がコスト的に困難な場合、即ち(原子数10,000–100,...
創エネルギー要求がますます高まる中,潜在能力を最大限発揮するためにIII族窒化物半導体バルク基板にかかる期待は大きい.本報告では,基板用バルクGaN単結晶成長の現状,およびそれを用いた場合の青色LED,HFETおよび太陽光発電素子について紹介する. 机译:作为III族(13族)-V(15族)化合物半导体成员的...
原理 「原理-なぜ、電圧をかけると光が出るのでしょうか」で紹介しました電子は1人でしたが、半導体レーザーとして使うには、もう少し強い光が必要なので、複数の電子が同時にジャンプして光を出しています。(ここでは例として3人の電子を書きました) 従来のレーザー 実際に電子達がジャン...
設計者は、SiC や GaN などのワイド バンドギャップ半導体を活かして、高出力クラスへのニーズの高まりなどの次世代 OBC の課題に対応しています。これにより、アクティブで効率的な整流器や高速スイッチング技術など、トポロジーや実装に変化をもたらし、高い電力変換効率を維持しながら電力密度...
独自の特徴を有していますが、基本的な検出原理は同じです。パターンなしェーハの検査装置は、ウェーハメーカー、デバイスメーカーによるウェーハ受入検査や設備の清浄度を監視するためにダミーのベアウェーハを使用して機器の状態チェックでウェーハ出荷検査に使用されています。ウェーハ...
次に,固定砥粒加工である研削加工は,ダイ ヤモンド砥粒が結合剤によって固定された砥石が,カ ップホイール型の円形状に配置され,スピンドルを高 速回転させ,回転するワークに一定速度で押し当て運 動転写原理によって加工が進行する方法である.SiCを 加工した場合の特性を把握するため,加工能率と...
インフィニオン テクノロジーズ (FSE: IFX / OTCQX: IFNNY) は、ワイドバンド ギャップ (SiCおよびGaN) 半導体の製造能力を増強し、パワー半導体市場でのリーダーシップを強化します。マレーシアのクリムにある拠点に、20億ユーロ以上を投じて第3の施設を建設します。この新施設の稼働によっ...
□ コウモリの音波把握能力を実現した「ISOCELL Vizion 63D」iToFセンサー サムスン電子の「ISOCELL Vizion 63D」は、コウモリが音波を利用して周囲を検知する仕組みのような原理で距離を測定する。音波の代わりに発光している光の波長と被写体に反射して戻るって...