一、TDDB半导体的原理 TDDB(瞬态介电击穿)是一种测量半导体器件氧化物击穿的方法。它通过向设备的氧化物层提供电压并确定氧化物降解所需的时间,来评估半导体器件的可靠性。在半导体器件中,氧化物击穿是一个重要的老化过程,会导致器件的电气特性发生变化。TDDB...
因此,在较低电流下,low k材质的本征传导模型可参考普尔-弗伦克尔(Poole-Frenkel)或肖特基(Schottky)模型,TDDB寿命基于这些传导模型进行预估(建议遵循所谓的√E型模型)。 电场加速因子γ可用于表征在很宽电场强度范围内的TDDB数据,γ因子根据研究结果总结得出为一个经验值:不同模型中ln(失效时间)与电场的关系图的斜率...
tddb电迁移hci半导体器件载流子静电场 电迁移EM(electromigration) 电迁移(EM)是微电子器件中主要的失效机理之一,电迁移造成金属化的开路和短路,使器件漏电流增加。 在器件向亚微米、深亚微米发展后,金属线的宽度不断减小,电流密度不断增加,更易于因电迁移而失效。 因此,随着工艺的进步,EM的评价备受重视。 导致电迁...
内容提示: `ICS 31.080.01 CCS L 55 中华人民共和国国家标准 GB/TXXXX—XXXX/IEC 62374:2007 半导体器件 栅介质层的时间相关(电)介质击穿(TDDB)试验 Semiconductor devices - Time dependent dielectric breakdown (TDDB) test for gate dielectric films (IEC 62374:2007,IDT) (征求意见稿) (本草案完成时间:...
《半导体器件 第 1 部分:内部金属层间的时间相关(电)介质击穿(TDDB)试验》标准制定是 2021 年国家标准计划项目,计划项目批准文号:国标委发【2021】23 号,计划代号:20213174-T-339,由中华人民共和国工业和信息化部提出,由全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC 78)归口,主要承办单位为工业和信息化部电子第五...
天眼查显示,上海积塔半导体有限公司“基于TDDB优化的MOSFET器件及其制备方法”专利公布,申请公布日为2024年8月9日,申请公布号为CN118471899A。 本发明提供了一种基于TDDB优化的MOSFET器件及其制备方法。本发明通过两次多晶硅生长刻蚀工艺,使得所形成的栅氧化层以及栅极的膜层厚度满足MOSFET器件的相应工艺厚度要求的同时,所形...
1.一种基于仿真技术的半导体器件TDDB失效测试方法,,其特征在于:该方法的步骤为: 步骤一:收集器件的已知信息,包括: a)器件内部晶体管级电路图; b)器件内部晶体管栅氧化层击穿激活能、电场击穿系数和电场加速因子; c)器件内部晶体管栅氧化层厚度; d)器件内部晶体管沟道设计长度、有效宽度、源区面积、漏区面积等信...
半导体圈 9月18日 21:24 来自iPhone客户端 2024年9月27日,由半导体投资联盟、深圳市存储器行业协会主办,广东省集成电路行业协会、深圳市半导体行业协会协办,爱集微咨询(厦门)有限公司、海通证券股份有限公司承办的“第三届GMIF2024创新峰会(Global Memory Innovation Forum)”将在深圳湾万丽酒店举办。演讲嘉宾:Pras...
集微网消息,本周,上海积塔新增设备招标23台,芯未半导体新增设备招标2台,无锡光子芯片联合研究中心新增设备招标1台,中车时代半导体新增设备招标1台;北方华创新增中标设备3台,嘉芯半导体新增中标设备1台,泛林半导体新增中标设备2台,Nikon新增中标设备1台,东京电子新增中标设备1台。
一、吴敏投资情况:吴敏目前是江苏博业创信半导体有限公司直接控股股东,持股比例为70%;目前吴敏投资江苏博业创信半导体有限公司最终收益股份为70%;二、吴敏的商业合作伙伴:基于公开数据展示,吴敏与刘忠玲、关振泉为商业合作伙伴。 财产线索 线索数量 老板履历 图文概览商业履历 任职全景图 投资、任职的关联公司 股权...