TDDB(Time Dependent Dielectric Breakdown)即经时介电层击穿,指的是在栅氧化层在偏压条件下工作时,漏电流逐渐增加的过程,最终导致氧化层击穿,使其失去绝缘功能。通常,栅氧化层的可靠性测试是在恒定电压下进行的,其在此条件下能承受的时间即为其寿命。 TDDB失效模型 TDDB的被广泛研究的解释模型很多,包括1/E模型、E...
总之,TDDB半导体是半导体器件可靠性评估中常用的测试方法之一,用于测量半导体器件的氧化物击穿时间和可靠性。相比于其他老化测试方法,TDDB测试具有精度高、可重复性好和适用性广等优势。
因此,在较低电流下,low k材质的本征传导模型可参考普尔-弗伦克尔(Poole-Frenkel)或肖特基(Schottky)模型,TDDB寿命基于这些传导模型进行预估(建议遵循所谓的√E型模型)。 电场加速因子γ可用于表征在很宽电场强度范围内的TDDB数据,γ因子根据研究结果总结得出为一个经验值:不同模型中ln(失效时间)与电场的关系图的斜率...
内容提示: `ICS 31.080.01 CCS L 55 中华人民共和国国家标准 GB/TXXXX—XXXX/IEC 62374:2007 半导体器件 栅介质层的时间相关(电)介质击穿(TDDB)试验 Semiconductor devices - Time dependent dielectric breakdown (TDDB) test for gate dielectric films (IEC 62374:2007,IDT) (征求意见稿) (本草案完成时间:...
金融界2025年1月31日消息,国家知识产权局信息显示,武汉新芯集成电路股份有限公司申请一项名为“半导体器件及其制造方法”的专利,公开号CN 119381379 A,申请日期为2024年10月。 专利摘要显示,本发明提供一种半导体器件及其制造方法,半导体器件包括:衬底,所述衬底上形成有第一介质层,所述第一介质层中形成有多个第一导电...
《半导体器件 第 1 部分:内部金属层间的时间相关(电)介质击穿(TDDB)试验》标准制定是 2021 年国家标准计划项目,计划项目批准文号:国标委发【2021】23 号,计划代号:20213174-T-339,由中华人民共和国工业和信息化部提出,由全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC 78)归口,主要承办单位为工业和信息化部电子第五...
半导体器件以及包括半导体器件的半导体系统 热度: 电迁移EM(electromigration) 电迁移(EM)是微电子器件中主要的失效机理之一,电迁移造成金属化的开路和短路,使器件漏电流增加。 在器件向亚微米、深亚微米发展后,金属线的宽度不断减小,电流密度不断增加,更易于因电迁移而失效。
1.一种基于仿真技术的半导体器件TDDB失效测试方法,,其特征在于:该方法的步骤为: 步骤一:收集器件的已知信息,包括: a)器件内部晶体管级电路图; b)器件内部晶体管栅氧化层击穿激活能、电场击穿系数和电场加速因子; c)器件内部晶体管栅氧化层厚度; d)器件内部晶体管沟道设计长度、有效宽度、源区面积、漏区面积等信...
2025年1月31日,金融界报道,武汉新芯集成电路股份有限公司(以下简称“武汉新芯”)在国家知识产权局提交了一项名为“半导体器件及其制造方法”的专利申请,公开号为CN119381379A,申请日期为2024年10月。这一专利的提出,标志着武汉新芯在半导体领域的再一次创新尝试,特别是在解决电容器的TDDB(时间依赖电介质击穿)失效问...
在半导体行业飞速发展的当下,武汉新芯集成电路股份有限公司近期申请了一项备受瞩目的专利,名为“半导体器件及其制造方法”。该专利的申请时间为2024年10月,公开号为CN119381379A,旨在解决半导体器件中的穿隧击穿(TDDB)失效问题,这一技术突破将对市场格局产生深远影响。作为中国集成电路领域的重要参与者,武汉新芯的这一创...