ALD根据不同的前驱气体可以生成介质和金属薄膜。在半导体芯片中有以下典型应用: (1)自对准图案化: ALD 在自对准多重图案化中起着关键作用,它用于形成比当前光刻技术所能生产的更小的图案。在该技术中,薄间隔物沉积在预定义的特征上。该隔离膜必须高度共形且非常均匀,因为它最终将定义最终图案的关键尺寸。 (2)3D...
随着国际局势的变化，国产半导体设备迎来历史性机遇。微导纳米利用光伏积累的资金和创投资金投入半导体研发，正式启动半导体项目，迅速成为国内首家将量产型High-k ALD设备应用于28nm节点集成电路制造生产线的国产设备公司，实现了国产ALD设备“从0到1”的突破。业内人士介绍，上述设备技术有效填补国内空白，达到国际先进水平。
在全球市场上,ASM和TEL是两大主要的ALD设备供应商,市场占有率高达75%。而在国内市场,微导纳米专注于ALD技术的研发,它的设备在半导体和光伏领域都有应用。此外,拓荆科技、北方华创和中微也在ALD领域有所布局。 结语📝无论是薄膜生长设备的精确控制,还是ALD技术在半导体制造中的重要性,都表明了它在现代半导体产业...
在半导体制程进入28nm后，由于器件结构不断缩小且更为3D立体化，生产过程中需要实现厚度更薄的膜层，以及在更为立体的器件表面均匀镀膜。在此背景下，ALD技术凭借优异的三维共形性、大面积成膜的均匀性和精确的膜厚控制等特点，技术优势愈加明显，在半导体薄膜沉积环节的市场占有率也将持续提高。然而，全球半导体设备市...
半导体制造中的ALD工艺，即原子层沉积，是一种高精度的薄膜沉积技术。它通过化学气相沉积的方式，将两种或多种物质材料以单原子膜的形式，逐层沉积在衬底表面。每层沉积都确保表面饱和，从而形成均匀的单层材料。这种技术不仅在控制薄膜厚度、保持膜厚均匀性方面表现出色，还能实现对复杂形状构件的全面覆盖。因此，ALD被...
通过 ALD,甚至可以非常均匀地沉积 3 维结构。绝缘薄膜和导电薄膜都是可能的,可以在不同的基底材料如半导体、聚合物等上沉积生长。通过原子层沉积的循环次数可以非常精确地控制薄膜厚度。由于反应气体不同时被引入腔室,因此它们不能在实际沉积之前开始反应。因此,薄膜的质量非常高。
ALD技术在半导体制造中的关键作用如下：晶体管栅极介电层（高介电常数）介电常数是描述一种材料保有电荷的能力，更高的K值，更好地存储电荷。高K值材料，相同电容密度下，可以减少漏电流。金属栅极 利用金属代替多晶硅作为器件的栅极材料，同时金属栅极具有极高的电子密度，可以把极性分子的振动屏蔽掉，提供器件通道内...
原子层沉积 （ALD） 循环图 原子层沉积 （ALD） 用于生长薄膜，应用范围广泛。这种特殊方法是化学气相沉积 （CVD） 技术的一种变体。在原子层沉积中，气态反应物（称为前体）被引入反应室，以促进通过化学表面反应形成所需的材料。原子层沉积（ALD）可以制造各种微电子和半导体。ALD最初是为了制造用于电致发光显示器...
据韩媒The Elec，韩国半导体公司周星工程(Jusung Engineering)最新研发出原子层沉积(ALD)技术，可以在生产先进工艺芯片中降低极紫外光刻(EUV)工艺步骤需求。周星工程董事长Chul Joo Hwang表示，当前DRAM和逻辑芯片的扩展已达到极限，因此需要像NAND一样，通过堆叠晶体管的方式克服这个问题。半导体行业如果想要把晶体管微缩到...
相较于 PVD、CVD 等 薄膜沉积技术,ALD 最大的特点在于自限制性,这一特点使其具备薄膜 控制精确度高和台阶覆盖率高的优势,特别适合在对薄膜质量要求高和 内部结构复杂的领域应用,包括光伏、半导体等。 薄膜沉积 PVD、CVD 和 ALD 三种工...