——这种由于浓度梯度导致的载流子扩散运动产生的电流称为扩散电流,扩散电流的大小只与浓度梯度有关; 2, 由于扩散运动后,P区留下负离子,N区留下正离子,在PN之间形成内建电场,方向为N区指向P区;内建电场会使P区的“自由电子”向N区移动,N区的“空穴”向P区移动。 ——这种由电场作用使载流子产生漂移运动形成...
在PN结两端外加电压,称为给PN加上偏置。当P区电位高于N区时称为正向偏置;反之,当N区电位高于P区时称为反向偏置。PN结最重要的特性就是单向导电性。 (1)PN结正向偏置。给PN结加正向偏置电压,如图(a)所示。这时正向电流I较大,PN结在正向偏置时呈现较小电阻,PN结变为导通状态。 (2)PN结反向偏置。给PN结加反向...
图 n型Si中导带电子浓度和温度的关系曲线如果用nn0表示n型半导体中的多数载流子电子浓度,而pn0表示n型半导体中少数载流子空穴浓度,那么n型半导体中 在器件正常工作的强电离温度区间,多子浓度nn0=ND基本不变,而少子浓度正比于ni2,而 ,也就是说在器件正常工作的较宽温度范围内,随温度变化少子浓度发生显著变化,因此...
二极管两端加正向电压时,就产生正向电流,当正向电压较小时,正向电流极小(几乎为零),这一部分称为死区,相应的点的电压称为死区电压或门槛电压(也称阈值电压),硅管约为0.5V,锗管约为0.1V。 当正向电压超过门槛电压时,正向电流就会急剧地增大,二极管呈现很小电阻而处于导通状态。这时硅管的正向导通压降约为0.6~0.7V...
当我们外加电压使PN结正偏时,外加电场与空间电荷区内建电场方向相反。这一外加电场使得空间电荷区出现一个与内建电势反向的偏压,N型半导体相对于P型半导体电位降低,势垒的高度减小。 由于势垒高度减低,N型半导体的电子在外加电场的作用下就有较大的概率能越过势垒到达P型区,产生电流,而P型半导体的空穴也是类似,此...
1) PN结加正向电压时扩散运动为主,较大的正向扩散电流 低电阻共三十五页 2) PN结加反向(fn xin)电压时漂移运动(yndng)为主;很小的反向漂移电流,近似于截止高电阻共三十五页 在一定的温度条件下,由本征激发决定的少子浓度是一定的,故少子形成的漂移电流是恒定的,基本上与所加反向电压的大小无关,这个电流也称...
PN结加正向电压时,呈现低电阻,具有较大的正向扩散电流。 PN结加反向电压时,呈现高电阻,具有很小的反向漂移电流。 由此可以得出结论:PN结具有单向导电性。 PN结的I−V特性 PN结的反向击穿和电容效应 PN结的反向击穿 当PN结的反向电压增加到一定数值时,反向电流突然快速增加,此现象称为PN ...
p ?gp? dt? d(?p) ?0 ,于是由上式得 ⑵稳定时额外载流子密度不再随时间变化,即 dt ?p?p?p0?gp? 3. 有一块 n 型硅样品,额外载流子寿命是 1?s ,无光照时的电阻率 是 10??cm 。今用光照射该样品,光被半导体均匀吸收,电子 -空穴 对的产生率是 1022/cm3?s ,试计算光照下样品的电阻率,并求...
一,正向偏置的 PN 结正向偏置耗尽区变窄扩散运动加强,漂移运动减弱正向电流二,反向偏置的 PN 结反向偏置耗尽区变宽扩散运动减弱,漂移运动加强反向电流PN 结的单向导电特性:PN 结只需要较小的正向电压,就可以使耗尽区变得很薄,从而产生较大的正向电流,而且正向电流随正向电压的微小变化会发生明显改变.而在反偏时,...
(1)开关特性: PN 结二极管处于正向偏置时,允许通过较大的电流,处于反 向偏置时通过二极管的电流很小,因此,常把处于正向偏置时二极管的工作状 态称为开态,而把处于反向偏置时的工作状态叫作关态。 (2)贮存时间: PN 结加一恒定的正向偏压时,载流子被注入并保持在结二极 管中,在扩散区建立确定的非平衡少数...