点接触型二极管:PN结面积小,结电容小,用于检波和变频等高频电路。 面接触型二极管:PN结面积大,用于工频大电流整流电路。 平面型二极管:往往用于集成电路制造工艺中,PN结面积可大可小,用于高频整流和开关电路中。 理想化的两种杂质分布: 突变结:离子注入;轻掺杂的原始晶片上进行浅结扩散。 线性缓变结:中等掺杂到重掺...
——这种由于浓度梯度导致的载流子扩散运动产生的电流称为扩散电流,扩散电流的大小只与浓度梯度有关; 2, 由于扩散运动后,P区留下负离子,N区留下正离子,在PN之间形成内建电场,方向为N区指向P区;内建电场会使P区的“自由电子”向N区移动,N区的“空穴”向P区移动。 ——这种由电场作用使载流子产生漂移运动形成...
PN结加正向电压时,呈现低电阻,具有较大的正向扩散电流。 PN结加反向电压时,呈现高电阻,具有很小的反向漂移电流。 由此可以得出结论:PN结具有单向导电性。 PN结的I−V特性 PN结的反向击穿和电容效应 PN结的反向击穿 当PN结的反向电压增加到一定数值时,反向电流突然快速增加,此现象称为PN 结的反向击穿 电击穿——可...
1.3PN结,半导体的光学性质 PN结 LOGO 半导体载流子的运动 漂移运动：两种载流子（电子和空穴）在电场的作用下产生的定向运动。 两种载流子运动产生的电流方向一致。空穴 电流I 。。。..电子 ∙ 电场作用下的漂移运动 LOGO 2 半导体载流子的运动 扩散运动：由于载流子浓度的差异，而形 成的载流子由...
二极管正向导通时,要特别注意它的正向电流不能超过最大值,否则将烧坏PN结。 2.反向特性 二极管两端加上反向电压时,在开始很大范围内,二极管相当于非常大的电阻,反向电流很小,且不随反向电压而变化。此时的电流称之为反向饱和电流IR。 3.反向击穿特性 二极管反向电压加到一定数值时,反向电流急剧增大,这种现象称为反向...
有净电流流过有净电流流过pn结;结;3. 正向偏压下,势垒降正向偏压下,势垒降低低qV;4.qV=Efn-Efp;5.Efn位置高于位置高于 EFP外加反向电压下,pn结势垒变化和载流子运动:反向偏压在势垒区产生的电场与内建电场一致,势垒区的电场增强,势垒区变宽,势垒高度从qVD降到q(VD+V)。外电场使空间电荷区加宽,加强了内...
PN结---简单的说就是把P型半导体和N型半导体“强行”搞在同一块半导体基片上,为纪念两者建交,在他们的国境线(交界面)处就形成了PN结(PNJunction)。 1、本征半导体: 本征半导体(intrinsicsemiconductor))完全不含杂质且无晶格缺陷的纯净半导体称为本征半导体。主要常见代表有硅、锗这两种元素的单晶体结构。硅、锗都...
q 2.4 PN 结两边杂质浓度和宽度均相等,且两边宽度小于相应的少子扩散长度,试证明正向 空穴电流和电子电流之比为 I P I n ? DP Dn ,如果两边宽度均大于相应的扩散长度,结 果如何? 3 -4- 证明:如果 PN 结两边宽度大于少子扩散长度,当 PN 结正向偏置时,通过 PN 结两侧注入的 少数载流子一边扩散,一边复合,...
1、P PN负极(阴极)负极(阴极)正极(阳极)正极(阳极)1、PN结的正偏和反偏概念结的正偏和反偏概念UPUN时,时,PN结正偏结正偏UP 0NNPBBVCCVRbRCebc共发射极接法共发射极接法c区区b区区e区区 (1 1)因为发射结正偏,所以发)因为发射结正偏,所以发射区向基区注入电子射区向基区注入电子 ,形成了扩形成了...
工作原理:发光二极管与普通二极管一样是由一个 PN 结组成,也具有单向导电性。当 给发光二极管加上正向电压后,从 P 区注入到 N 区的空穴和由 N 区注入到 P 区的电子,在 PN 结附近数微米内分别与 N 区的电子和 P 区的空穴复合,产生自发辐射的荧光。不同的半 导体材料中电子和空穴所处的能量状态不同。