推进氧化 扩散工艺的第二个主要部分就是推进氧化步骤。它的不同称谓有推进(drive-in),扩散(diffusion),再氧化(reoxidation)或reoxo这一步的目的是双重的:在晶圆的杂质再分布和在暴露的硅表面再生长新的氧化层 1.杂质在晶圆中向更深处的再分布。在淀积过程中,高浓度但很浅的杂质薄层扩散进晶圆表面。推进过程没有...
扩散分两个step进行：前述CSD主要从硅薄层表面膜中加入杂质时开始应用。 指此为预淀积步骤(pre-deposition step)。第二步是（LSD）drive-in,这意味着你要从硅表面做多深的dose 今天我们来了解一下这个pre-deposition->drive-in的扩散过程。生产一个半导体需要很多工艺，我们一起期待下一章。革恩业务领域：1. ...
推进(drive-in) 扩散工艺的一个阶段,掺杂物被推向品圆深处干法刻蚀(dry etch):参见等离子体刻蚀。 干氧化(dryox) 使用氧气和氢气生长二氧化硅的方法。在工艺温度下形成水蒸气,而不是直接使用水蒸气。 干氧化硅(dry oxide) 使用氧气热氧化生成的二氧化硅。 双大马士革(dual damascene) 一种图形化工艺,首先将要求的...
drive-in:推阱,指运用高温过程使杂质在硅片中分布扩散。 dry etch:干刻,指采用反应气体或电离气体除去硅片某一层次中未受保护区域的混合了物理腐蚀及化学腐蚀的工艺过程。 effective layer thickness:有效层厚,指在外延片制造中,载流子密度在规定范围内的硅锭前端的深度。 EM:electromigration,电子迁移,指由通过铝条...
在半导体晶圆中应用固态热扩散工艺(solid-statethermaldifusion)形成结需要两步第一步称为淀积( deposition),将掺杂剂引人晶圆表面；第二步称为推进氧化(drive-in-oxidation)，将掺杂剂推进(散布)到期望的深度。两步都是在水平式或垂直式炉管中进行的。第一步：淀积 淀积(也称为 predeposition,dep或predep)在炉...
DriveIn 驱入 离子植入(ionimplantation)虽然能较精确地选择杂质数量,但受限于离子能量,无法将杂质打入芯片较深(um级)的区域,因此需借着原子有从高浓度往低浓度扩散的性质,在相当高的温度去进行,一方面将杂质扩散到较深的区域,且使杂质原子占据硅原子位置,产生所要的电性,另外也可将植入时产生的缺陷消除。此方法...
66. drive-in:推阱,指运用高温过程使杂质在硅片中分布扩散。 67. dry etch:干刻,指采用反应气体或电离气体除去硅片某一层次中未受保护区域的混合了物理腐蚀及化学腐蚀的工艺过程。 68. effective layer thickness:有效层厚,指在外延片制造中,载流子密度在规定范围内的硅锭前端的深度。 69. EM:electromigratio...
在一些特殊的工艺中,如注氧隔离技术( Seperation by Implantation of Oxygen,SIMOX)制备 SOI 衬底、深n井(Deep n-Well)扩散驱入 (Drive-in)工艺中应用较多,此类工艺一般需要通过高的热预算来获得完美的晶格或均匀的杂质分布。 快速热退火是用极快的升/降温和在目标温度处的短暂停留对硅片进行处理,有时也称快速...
10、drive-in:推阱,指运用高温过程使杂质在硅片中分布扩散。 67. dry etch:干刻,指采用反应气体或电离气体除去硅片某一层次中未受保护区域的混合了物理腐蚀及化学腐蚀的工艺过程。 68. effective layer thickness:有效层厚,指在外延片制造中,载流子密度在规定范围内的硅锭前端的深度。 69. EM:electromigration,电...
高温炉管退火是一种传统的退火方式,其温度较高且退火时间较长,热预算很高。在一些特殊的工艺中,如注氧隔离技术 ( Seperation by Implantation of Oxygen,SIMOX)制备 SOI 衬底、深n井(Deep n-Well)扩散驱入 (Drive-in)工艺中应用较多,此类工艺一般需要通过高的热预算来获得完美的晶格或均匀的杂质分布。