IGBT(绝缘栅双极型晶体管)是由BJT(双极型三极管)和 MOSFET(绝缘栅型场效管)组成的复合功率半导体,兼备了双极型晶体管的高耐压和 MOSFET输入抗阻高的特性,因此IGBT适用于高电压、大电流场合。 二、5G+汽车电动化,功率 MOS下游需求旺盛 1、通信:5G带来基站MOSFET需求 根据英飞凌,5G基站采用的MOSFET等功率半导体用量是...