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半导体湿法蚀刻机台可以实现对电容器表面的精细蚀刻,以满足电容器的制造需求。 3. 制造电阻器:在电阻器的制造过程中,需要对半导体表面进行特定的蚀刻,以实现电阻器的各个结构。半导体湿法蚀刻机台可以实现对电阻器表面的精细蚀刻,以满足电阻器的制造需求。 总结:半导体湿法蚀刻机台是半导...
专利摘要显示，本发明属于半导体技术领域，具体为半导体干式蚀刻机台及其工艺流程，该机台包括依次设置的气闸室、真空传输室以及工艺腔，气闸室通过氮气管二连通于氮气源一；氮气管二上设有氮气阀门一；真空传输室与工艺腔均通过氮气管一连通于氮气源二；真空传输室通过支管组(第一支管与第二支管的组合)与氮气管一...
首先,设备漏率直接影响到半导体制造的效率,导致产品制造周期延长,影响产量和企业效益。其次,设备漏率会导致机台维修和更换零部件,这将在人力、时间和成本方面产生额外的开支。最后,未能及时解决设备漏率问题还会导致机台故障,进一步加大了企业的损失。 因此,半导体蚀刻机台机台漏率对企业的危...
半导体蚀刻机台漏率问题的原因通常有以下几个方面: 1.机台密封不严:机台密封不严是导致漏率问题的主要原因之一。当蚀刻液在刻蚀过程中存在波动时,机台密封不严的地方容易发生漏液的情况。 2.氟离子束流量和能量密度不足:氟离子束是蚀刻过程中产生化学反应的关键。...
国产半导体设备再传捷报! 我国成功打破国外芯片垄断,研制出首台5nm蚀刻机!#科技 #芯片 #半导体 - 前沿科记于20240808发布在抖音,已经收获了75.8万个喜欢,来抖音,记录美好生活!
@爱采购寻源宝半导体蚀刻机台漏率范围详解及影响因素 爱采购寻源宝 在半导体蚀刻工艺中,设备漏率是一个核心参数,其标准区间通常维持在1x10^-10至1x10^-8Torr·L/s之间。这一范围的设定,是综合考量了设备性能、工艺标准及生产环境等多方面因素的结果。漏率过高,会导致蚀刻气体外泄,进而影响蚀刻的精准度和整体效果...
我国企业第一个成功做出世界首台5nm蚀刻机,实现从零到世界第一的突破,对中国芯片产业影响有多大?#科技#芯片#刻蚀机#半导体 5612 501 318 419 举报 发布时间:2024-08-07 18:31 周存山 ... 那华为为何还要卡脖子? 5月前·江苏 0 分享 回复 展开10条回复...
上海朋熙半导体申请多腔体蚀刻设备的生产排程相关专利，实现晶圆批次在机台和腔体层面的双重调度任务 金融界2024年12月19日消息，国家知识产权局信息显示，上海朋熙半导体有限公司申请一项名为“一种多腔体蚀刻设备的生产排程方法及相关设备”的专利，公开号 CN 119133037 A，申请日期为2024年11月。专利摘要显示，本发明...
Mok首选的前段(front-end)半导体晶圆设备为半导体蚀刻机台制造商科林研发公司(Lam Research Corp.),主因该公司正好搭上DRAM市况日趋稳健的列车;下半年则较看好小型业者如Mattson Technology、Ultra Clean Holdings以及Entegris。在后段(back-end)半导体晶圆设备当中,Mok则看好Xcerra。