禁带宽度对于半导体光电器件的性能也有着决定性的影响。在太阳能电池中,禁带宽度的大小对于光电转换效率有着直接的影响。 三、禁带宽度的控制 禁带宽度是一个材料属性,对于材料的控制具有一定的难度。通常需要通过控制材料的掺杂、厚度等来实现禁带宽度的调节。对于掺杂的控制,可以通过控制...
禁带宽度对于半导体器件性能的影响非常大,它直接决定着器件的耐压和最高工作温度;比如氮化镓禁带宽度很大,即便高温价带电子也很难吸收大于Eg的热辐射的能量跳变到导带,这样就能继续发挥半导体作用,同理因为跃迁能量较大,所以GaN更难被击穿,因此常用作高压耐高温器件,也有很高的抗辐射性能。另一方面,通...
禁带宽度误差对半导体器件的性能有着显著的影响.具体表现在以下几个方面: 1.电学性能:禁带宽度的误差会导致载流子浓度,载流子迁移率等电学性能的变化,从而影响半导体器件的导电性能. 2.光学性能:禁带宽度的误差会影响半导体材料的光学性能,从而影响...
禁带宽度(Eg)热电性能α-In2Se3是一类A2ⅢB3Ⅳ型宽带隙半导体材料.但在α-In2Se3化合物中共掺杂适量的Cu,Te后发现禁带宽度(Eg)变窄,Eg值由本征态时的1.32eV减小到1.14eV.掺杂后电学性能得到了大幅度的改善.最大功率因子由0.7610-4增大到2.810-4W·m-1·K-2;最大热电优值(ZT)从本征态时的0.25提高到0.63...
位错是半导体的一种缺陷,它对半导体材料和器件的性能会产生严重的影响。在棱位错的周围会导致原子间的压缩和伸张,晶格压缩区禁带宽度变宽;伸张区禁带宽度___。
禁带宽度对于半导体器件性能的影响非常大,它直接决定着器件的耐压和最高工作温度;比如氮化镓禁带宽度很大,即便高温价带电子也很难吸收大于Eg的热辐射的能量跳变到导带,这样就能继续发挥半导体作用,同理因为跃迁能量较大,所以GaN更难被击穿,因此常用作高压耐高温器件,也有很高的抗辐射性能。另一方面,...
百度试题 结果1 题目位错是半导体的一种缺陷,它对半导体材料和器件的性能会产生严重的影响。在棱位错的周围会导致原子间的压缩和伸张,晶格压缩区禁带宽度,伸张区禁带宽度 相关知识点: 试题来源: 解析 变大变小