半导体中的电子状态设晶格常数为的一维晶格,导带极小值附近能量Eck和价带极大值附近能量Evk分别为式中,m0为电子的惯性质量,。试求:禁带宽度;导带底电子有效质量;价带顶电子有效质量;价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化。带宽度Eg0.64
刘恩科半导体物理学课后第八第七 半导体物理学(刘恩科)第六第七版第一章到第八章完整课后题答案,半导体物理学(刘恩科)第六第七版第一章到第八章完整课后题答案, 君,已阅读到文档的结尾了呢~~ 立即下载相似精选,再来一篇 精品小龙人 分享于2015-01-02 06:29...
(2)理想半导体是纯净不含杂质的,实际半导体含有若干杂质。(3)理想半导体的晶格结构是完整的,实际半导体中存在点缺陷,线缺陷和面缺陷等。2. 以 As 掺入 Ge 中为例,说明什么是施主杂质、施主杂质电离过程和 n 型半导体。As 有 5 个价电子,其中的四个价电子与周围的四个 Ge 原子形成共价键,还...
当半导体中同时存在施主和受主杂质时, 若(1) ND>>NA 因为受主能级低于施主能级,所以施主杂质的电子首先跃迁到 NA 个受主能级 上,还有 ND-NA 个电子在施主能级上,杂质全部电离时,跃迁到导带中的导电 电子的浓度为 n= ND-NA。即则有效受主浓度为 NAeff≈ ND-NA (2)NA>>ND 施主能级上的全部电子跃迁到...