在SC1和SC2溶液清洁之后，使用稀释的氢氟酸水溶液来去除晶片表面上由过氧化氢氧化产生的天然氧化物层和化学氧化物层。随着氧化层的去除，硅氢在硅晶片的表面上产生。结合在一起形成疏水表面 （5） DI水是超纯水（UPW）的另一个名称。化学清洗后，UPW使用臭氧水稀释化学物质并冲洗晶片的液体。RCA清洁结合兆声波能量...
SC1是清洗Particle,SC2是清洗金属SC3好像就是SPM H2SO4和H2O2是主要成份用来清洗干刻去胶后的残余有机物杂质,机台工艺类型称为PR Strip 作者赞过 1年前·江苏 2 分享 回复 济南华国花岗石精密量具有限公司 ... [赞][赞][赞] 作者赞过 1年前·山东 ...
(4) 用氢氟酸(氢氟酸)或稀释的氢氟酸(稀释的氢氟酸)(20至25摄氏度的HF或DHF)进行蚀刻。其配方为HF:H2O=1:2:10,用于去除难以到达的地方的氧化物,蚀刻二氧化硅和氧化硅,减少表面金属。在SC1和SC2溶液清洁之后,使用稀释的氢氟酸水溶液来去除晶片表面上由过氧化氢氧化产生的天然氧化物层和化学氧化物层。随着氧化层的...
(4) 用氢氟酸(氢氟酸)或稀释的氢氟酸(稀释的氢氟酸)(20至25摄氏度的HF或DHF)进行蚀刻。其配方为HF:H2O=1:2:10,用于去除难以到达的地方的氧化物,蚀刻二氧化硅和氧化硅,减少表面金属。在SC1和SC2溶液清洁之后,使用稀释的氢氟酸水溶液来去除晶片表面上由过氧化氢氧化产生的天然氧化物层和化学氧化物层。随着氧化层的...
与RCA清洁 结合使用时,SC1和SC2混合物的稀释化学方法可以节省大量化学品和去离子水 。SC2组合中的H2O2也 可以完全消除。APMSC2 混合物可以稀释 (1:1:50),以去除晶圆表面的微粒和碳氢化合物。在去除金属时,高度稀释的 HPM 混合物 (1:1:60) 和稀释的 HCl (1:100)与传统的 SC2 液体一样有效。(江苏英思...
在RCA清洗的基础上,对SC1、SC2混合物采用稀释化学法可以大量节约化学品及DI水的消耗量。并且SC2混合物...
(APM;APM通常称为SC1清洗液,其分子式为:NH4OH:H2O2:H2O=1:1:5～1:2:7,通过底切氧化和微刻蚀去除表面颗粒;它还能去除微量有机污染物和部分金属化污染物。然而,表面粗糙度与硅氧化和蚀刻同时发生。 硫酸/双氧水/二水合物混合物(SPM;-H2SO4/H2O2/H2Oat100～130℃)。SPM通常被称为SC3清洗液。硫酸与水的体积...
在RCA清洗的基础上,对SC1、SC2混合物采用稀释化学法可以大量节约化学品及DI水的消耗量。并且SC2混合物中的H2O2可以完全去掉。稀释APMSC2混合物(1:1:50)可以有效地从晶片表面去除颗粒和碳氢化合物。强烈稀释HPM混合物(1:1:60)和稀释HCI(1:100)在清除金属时可以象标准SC2液体一样有效。采用稀释HCL溶液的另外一...
2 稀释化学法 在 RCA 清洗的基础上 对 SC1 SC2 混合物采用稀释化学法可以大量节约化学品及 DI 水的消 耗量 并且 SC2 混合物中的 H 2O2 可以完全去掉 稀释 APM SC2 混合物 1 1 50 可以有效 地从晶片表面去除颗粒和碳氢化合物 强烈稀释 HPM 混合物 1 1 60 和稀释 HCI 1 100 在清除金属时可以象...
在RCA清洗的基础上,对SC1、SC2混合物采用稀释化学法可以大量节约化学品及DI水的消耗量。并且SC2混合物中的H 2O2可以完全去掉。稀释APM SC2混合物(1:1:50)可以有效地从晶片表面去除颗粒和碳氢化合物。强烈稀释HPM混合物(1:1:60)和稀释HCI(1:100)在清除金属时可以象标准SC2液体一样有效。采用稀释HCL溶液的另...