半导体探测器工作时,在搬半导体P区和N区加反向电压,使空间电荷电场增强。电子和空穴分别向正负两级扩散,使得探测器灵敏区的厚度增大。当探测的射线进入闪烁体光电倍增管前置放大器放大器多道脉冲幅度分析器处理微机电源模块灵敏区时产生电离,生成大量电子-空穴对。在电场的作用下,电子和空穴分别迅速向正、负两级漂移。
半导体探测器的工作原理主要包括能量沉积、载流子产生和电荷收集三个过程。 首先,当辐射或粒子穿过半导体探测器时,会与半导体原子核或电子发生相互作用,导致能量的沉积。这些能量沉积会激发半导体材料中的原子或分子,使其电子从价带跃迁到导带,产生电子-空穴对。 其次,产生的电子-空穴对会在半导体中以载流子的形式移动。
半导体光电探测器是利用光电效应将光信号转化为电信号的器件,其基本工作原理是光子通过半导体能带,激发半导体中的电子跃迁到导带。由于载流子密度的变化,电流也随之产生。半导体光电探测器的核心部分是PN结或PIN结。当有光照射到PN结或PIN结时,光子会被吸收,导致电子跃迁,形成电子空穴对。这些电子和空穴在电场的作用下会...
半导体探测器的工作原理主要基于半导体材料的特性以及辐射或粒子与半导体材料相互作用的过程。本文将从半导体材料的基本特性、探测器的结构和工作原理等方面进行介绍。 半导体材料的基本特性。 半导体材料是介于导体和绝缘体之间的一类材料,它的导电性介于导体和绝缘体之间。半导体材料的导电性主要取决于其杂质浓度和温度。在...
1二类超晶格探测器原理 二类超晶格的概念由IBM研究院的Sai-Halasz和Esaki等科学家于1977年提出随后他们对InAs/GaSb二类超晶格的能带结构进行了理论计算,根据计算结果:InAs/GaSb 超晶格根据其周期结构厚度的不同,表现出半导体特性或半金属特性。 由晶格常数相互接近的 InAs( 6. 0583Å),GaSb( 6. 09593 Å) 和...
半导体光电探测器是通过光生或热生成电荷载流子来实现光电转换的。其工作原理主要涉及以下几个关键过程: 1.光吸收:当光照射到半导体材料上时,光子与原子之间发生相互作用,导致电子能级的跃迁。这种跃迁可以通过直接带隙吸收或间接带隙吸收来实现。 2.电荷生成:吸收能量的光子会激发半导体材料内的电子从价带跃迁到导带,...
半导体探测器的工作原理就是基于以上三个方面来实现对高能粒子的探测。通过测量粒子入射介质时带电粒子所损失的能量、离子化产生的带正电离子和带负电荷载流子扩散的信号,可以判断粒子的种类、能量和入射方向等信息。因此,半导体探测器不仅在核物理和天文学领域有着广泛的应用,也被应用于医疗、工业检测和安全...
二、半导体探测器的原理 1、光电导探测器 光电导探测器主要是通过电阴值的变化来检测,以下我将以光敏电阻为例介绍其工作原理。光敏电阻又称光导管, 它没有极性 , 纯粹是一个电阻器件, 使用时既可加直流电压, 也可以加交流电压。无光照时, 光敏电阻值(暗电阻)很大, 电路中电流(暗电流)很小。当光敏电阻受到...