-, 视频播放量 7950、弹幕量 5、点赞数 320、投硬币枚数 109、收藏人数 868、转发人数 57, 视频作者 钛科普工程学习, 作者简介 科普我是认真的,相关视频:芯片的制造原理,3D动画看从砂子到芯片的完整过程,【半导体】目前B站最全最细的半导体工艺全套教程。从头到尾带你彻
其利用光化学反应，经曝光、显影等光刻工艺，将所需要的微细图形从掩模版转移到待加工基片上，是用于微细加工技术的关键性电子化学品。影响光刻胶厚度的主要因素：光刻胶本身的粘度和匀胶转速，对于一款已确定的光刻胶，转速是厚度的决定性因素。3工艺流程 光刻工艺是半导体等精密电子器件制造的核心流程，工艺流程包...
MOS管通过施加到栅极的电压执行开关操作,以打开和关闭源极与漏极之间的电流。 ② 工艺流程 a、通过光刻工艺在n阱区域上覆盖光刻胶,并将n型杂质离子注入p型区域 b、使用高电流型的离子注入设备向源漏极注入高浓度的杂质 c、灰化去除不需的光刻胶 d、n阱区域同理 e、退火激活形成n型和p型晶体管的源漏极区域...
热处理：使用高温炉对晶圆进行热处理，以实现晶体生长、材料扩散和结构改变等过程。这些是半导体工艺的基本原理、流程和一些常见的工艺技术。半导体工艺是一个复杂而精确的过程，需要高度的工艺控制和设备精度，以确保生产出高质量和可靠的集成电路。
半导体工艺制造技术的原理主要涉及到半导体材料的特性和制造工艺的基本原理。 1.半导体材料的特性 半导体材料具有介于导体和绝缘体之间的电导率。这是由于半导体材料的能带结构决定的。在半导体材料中,价带是最高的完全占据能级,而导带是最低的未占据能级。两者之间的能量间隙称为禁带宽度。半导体材料的导电性取决于禁带宽...
半导体刻蚀工艺是半导体制造过程中的关键步骤,用于将光刻胶上的图案精确地转移到半导体晶圆表面的薄膜上,从而定义出芯片的各种器件和电路结构。主要分为湿法刻蚀和干法刻蚀,原理如下: 湿法刻蚀。 原理:利用化学溶液与待刻蚀材料之间的化学反应,将不需要的材料溶解去除。例如,在硅基半导体制造中,对于二氧化硅层的刻蚀,常...
刻蚀工艺概述 定义：刻蚀是半导体制造过程中的关键步骤，它涉及使用化学或物理手段去除晶圆表面的不需要的材料。目的：刻蚀的主要目的是在晶圆上形成微小的电路结构，这些结构构成了集成电路的基础。重要性：刻蚀工艺对于实现高精度和高性能的半导体器件至关重要，因为它直接影响到电路的尺寸、形状和功能。刻蚀工艺的类型 ...
内容提示: 半导体制造工艺基础章 第六章 理 扩散原理 ( 下)1上节课主要内容1 、掺杂工艺一般分为哪两步?结深?薄层电阻?固溶度?2 、两种特殊条件下的费克定律的解及其特点?特征扩散长度?预淀积+退火。预淀积:气固相预淀积扩散或离子注入。Rs :表面为正方形的半导体薄层(结深),在平行电流方向所呈现的电阻,...
基本原理 1减薄的目的 直径150mm(6寸)和200mm(8寸)的晶圆厚度分别为625um和725um,而直径为300mm硅片平均厚度达到775um。在晶圆中总厚度90%以上的衬底材料是为了保证晶圆在制造,测试和运送过程中有足够的强度。 晶圆减薄工艺的作用是对已完成功能的晶圆(主要是硅晶片)的背面基体材料进行磨削,去掉一定厚度的材料。