——第1部分:智能传感器-智能传感器的控制方案 ——第2部分:智能传感器-智能传感器和驱动智能传感器的电源规范要求 该系列标准等同采用IEC60747-19系列标准,本文件是该系列标准中的第2部分。智能传感器网络 是由多个智能传感单元(包括智能传感器、终端模块和电源)节点组织而成的网络,由于智能传感器单 ...
《半导体器件机械和气候试验方法第19部分:芯片剪切强度》是2019年4月1日开始实施的一项中国国家标准。编制进程 2018年9月17日,《半导体器件机械和气候试验方法第19部分:芯片剪切强度》发布。2019年4月1日,《半导体器件机械和气候试验方法第19部分:芯片剪切强度》实施。归口部门 工业和信息化部(电子)
ICS31.080.01 L40 中华人 民共和 国国家标准 / — / : GBT4937.19 2018IEC60749-192010 半导体器件 机械和气候试验方法 : 第 部分 芯片剪切强度 19 — — Semiconductordevices Mechanicalandclimatictestmethods : Part19Dieshearstrenth g ( : , ) IEC60749-192010IDT 2018-09-17发布 2019-01-01实施 国家市...
中文名称:半导体器件的机械标准化.第6-19部分:在高温及最大允许翘曲下构装翘曲的测量方法 英文名称:Mechanical standardization of semiconductor devices - Part 6-19: Measurement methods of package warpage at elevated temperature and the maximum permissible warpage...
标准号:IEC 62047-19-2013 中文标准名称:半导体器件.微型机电装置.第19部分:电子罗盘 英文标准名称:Semiconductor devices - Micro-electromechanical devices - Part 19: Electronic compasses 标准类型:L40 发布日期:1999/12/31 12:00:00 实施日期:1999/12/31 12:00:00 ...
因此,在第一电极焊盘的覆盖有绝缘膜的部分中,在沿着第一边的方向上,该部分的更接近第一边端部的宽度大于该部分的与该宽度相对的另一宽度。 法律状态 法律状态公告日 法律状态信息 法律状态 权利要求说明书 1.一种半导体器件,包括: 衬底,具有第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面; 半导体芯片,具有第一主...
所述第一导体图案是与所述第一栅电极同层的导体图案,不具备栅电极的功能。 3.根据权利要求2所记载的半导体器件,其特征在于, 所述第一导体图案形成于埋入了所述绝缘体的所述沟槽上。 4.根据权利要求3所记载的半导体器件,其特征在于, 所述第二有源区域配置于所述第一电容元件的下方,不与所述第一金属图案和所...
,用n0和p0分别表示平衡时的电子浓度和空穴浓度,它们的乘积满足,处于非平衡状态的半导体,其载流子浓度将不再是n0和p0,可以比它们多出一部分。比平衡状态多出来的这部分载流子称为非平衡载流子,有时也称过剩载流子,用n和p 分别表示非平衡电子和非平衡空穴。,例如在一定温度下, 45、当没有光照时,一块半导体中的电子...
中文标准名称:半导体器件机械和气候试验方法第19部分:冲模剪切强度 英文标准名称:Semiconductordevices?Mechanicalandclimatictestmethods?Part19:DieshearstrengthDispositifs?semiconducteurs?Méthodesd'essaismécaniquesetclimatiques?Partie19:RésistancedelapastilleaucisaillementEdition1.1;ConsolidatedReprint[S ...