1.解: 2.解: 由公式单位面积耗尽电 所以, 此题中的电容 由图 2 知, 截距: 斜率: 由(1), (2) 得, 所以, 外延层厚度 3. 解:根据电荷守恒: 对 P 区: 对 N 区: 所以总电势: 最大电场强度: 4.解: 2ln()ADbiiN NnkTq 22sA q NDN W(x)EqqxE( )...
半导体器件物理习题解答 计算一硅p-n结在300K时的内建电势，其NA＝1018cm-3和ND＝1015cm-3．解由式 p或n/V 0.8 0.6 GaAs 0.4Si0.201014101510161017NA或ND/cm31018300K kTNANDVbinpln(2)qni 得到 10181015图3.6硅和砷化镓的p端和n端突变结的内建电势和杂质浓度...
半导体器件物理课后习题解答齐纳二极管主要工作于逆向偏压区在二极管工作于逆向偏压区时当电压未达崩溃电压以前反向偏置的pn结中只有一个很小的电流这个漏电流一直保持一个常数直到反向电压超过某个特定的值即当逆向电压达到崩溃电压时每一微小电压的增加就会产生相当大的电流此时二极管两端的电压就会保持于一个变化量相当微小...
PIN 型 特性:缺点是暗电流大,因结容量低,故可获得快速响应 半导体器件物理课后习题解答半导体器件物理课后作业第二章对发光二极管(LED)、光电二极管(PD)、隧道二极管、齐纳二极管、变容管、快恢复二极管和电荷存储二极管这7个二端器件,请选择其中的4个器件,简述它们的工作原理和应用场合。解:发光二极管它是半导体二极管...
它是半导体二极管的一种,是一种固态的半导体器件,可以把电能转化成光能;常简写为LED。 工作原理:发光二极管与普通二极管一样是由一个PN结组成,也具有单向导电性。当给发光二极管加上正向电压后,从P区注入到N区的空穴和由N区注入到P区的电子,在PN结附近数微米内分别与N区的电子和P区的空穴复合,产生自发辐射的荧光...
半导体器件物理课后作业 第二章 对发光二极管(LED)、光电二极管(PD)、隧道二极管、齐纳二极管、变容管、快恢复二极管和电荷存储二极管这7个二端器件,请选择其中的4个器件,简述它们的工作原理和应用场合。 解: 发光二极管 它是半导体二极管的一种,是一种固态的半导体器件,可以把电能转化成光能;常简写为LED。 工作原理...
[工学]半导体器件物理-尼曼 MOS习题解答_MOS部分习题答案 第三部分 MOS器件习题解 第十五章 15.5(a)底部的pn结宽度等于热平衡时的宽度，顶部的宽度大于a (b)(c)(d)顶部pn结的耗尽层宽度底部pn结的耗尽层宽度 VGB=0，所以 又根据（b)的结果 （e)VGB=0时的夹断电压比VGB=VGT时的夹断电压大 第十六章主要...
半导体器件物理习题解答（部分）
半导体器件物理基础第2版 曾树荣 附有习题参考解答 介绍学习半导体器件知识 大学半导体物理器件课程教材参考 北京大学正版 京东价 ￥ 降价通知 累计评价 0 促销 展开促销 配送至 --请选择-- 支持 - + 加入购物车 更多商品信息 棉鹿图书专营店 店铺星级 商品评价 4.7 高 物流履约 4.1 中 售后服...
半导体器件物理基础第2版 曾树荣 附有习题参考解答 介绍学习半导体器件知识 大学半导体物理器件课程教材参考 北京大学正版 京大学正版 京东价 ￥ 降价通知 累计评价 0 促销 展开促销 配送至 --请选择-- 支持 - + 加入购物车 更多商品信息 癸