区域熔融法是制备高纯金属、半导体单晶（硅和锗）、无机晶体、感光药品（如卤化银）和有机试剂的一种常用方法。区域熔融原理为：在惰性气氛下，使狭窄的熔区沿着试样连续移动，利用杂质在固体物质（未熔部分）和熔融物质中溶解度差异将杂质分离，达到物质提纯的目的。溶质在固相中的浓度与在液相中的浓度之比称为分布...
区域熔融法,又被称为“区域熔炼”或“浮区法”,是一种常用于制备高纯金属、半导体单晶(如硅和锗)、无机晶体、感光药品(如卤化银)和有机试剂的方法。其工作原理是在惰性气氛下,使狭窄的熔区沿着试样连续移动,利用杂质在固体物质(未熔部分)和熔融物质中溶解度的差异将杂质分离,从而达到提纯物质的目的。 这种方法的...
直拉法和区熔法是制备单晶硅的两种主要方法,它们的原理不同。直拉法是通过在高温下将硅棒逐渐拉伸成单晶硅,而区熔法是将硅粉放入石英坩埚中,在高温下通过电热加热使其熔化并形成单晶硅。因此,直拉法是从固态向单晶硅转化,而区熔法是从液态向单晶硅转化。 二、工艺流程区别 直拉...
普通的单晶硅晶体生长方法或多或少都会引入少量杂质,但是区熔法是一种比较特殊的高纯度单晶生长技术。由于其本身也是一种提纯的方法,因此用区熔法来制备超纯单晶硅非常适合。 区熔法晶体生长技术工业上被称为悬浮区熔法,简称区熔法(FZ),这种技术是指在气氛或真空的炉室中,利用高频线圈在单晶籽晶和其上方悬挂的多...
利用一个或数个熔区在同一方向上重复通过原料烧结以除去有害杂质,也可利用区域致匀过程(熔区在正、反两个方向上反复通过)有效地消除分凝效应,将所期望的杂质均匀地掺入到晶体中去,并可在一定程度上控制和消除位错、包裹体之类的结构缺陷。 2.工艺 区域熔炼法分两种:一种是有容器的区域熔炼(图2-7),另一种...
区熔法生长晶体有水平区熔和垂直浮带压熔两种形式。 水平区熔法 将原料放入一长舟之中，舟应采用不沾污熔体的材料制成，如石英、氧化镁、氧化铝、氧化铍、石墨等。舟的头部放籽晶。加热可以使用电阻炉，也可使用高频炉。用此法制备单晶时，设备简单，与提纯过程同时进行又可得到纯度很高和杂质分布十分均匀的晶体。
水平区熔法浮区区熔法基座法焰熔法 区域熔炼法 （1）水平区熔法(1952)特点：特点：该方法的熔区被限制在一段狭窄的范围内，绝大部分材料处于固态，熔区沿着料锭由一端向另一端缓慢移动，晶体生长过程逐渐完成。优点：优点：减小了坩埚对熔体的污染（减小了接触面积）降低了加热功率；区熔过程可反复进行，从而...
区熔法: 将籽晶与多晶棒紧粘在一起,利用分段熔融多晶棒,在熔区由籽晶移向多晶另一端的过程中, 使多晶转变成单晶体。 1)水平区熔法(布里吉曼法)---GaAs单晶 2)悬浮区熔法(FZ)可制备硅、锗、砷化镓等多种半导体单晶材料5•单晶整形: 单晶棒存在细径、放肩部分和尾部。从晶片等径和电阻率均匀性要...
区熔法是硅的一种常用提纯方法,也是一种重要的半导体材料生产技术。以下是关于区熔法原理的详细解释。 区熔法的原理基于硅在高温环境下的材料迁移性,即硅在高温时可以在晶体内发生扩散。区熔法将硅材料置于一个特定温度梯度之间,使其局部区域达到熔点,从而产生一个熔化区。该熔化区会沿着硅材料的长度方向移动,并且...