区熔单晶生长技术是一种通过扩散和质量输运相结合的生长方法,能够获得高质量的单晶材料。该技术的核心是利用高温下液相的迁移和凝固行为来生长单晶。 与其他的单晶生长方法相比,区熔单晶技术具有生长速度快、生长周期短、产品质量优良等优点。因此,在航空、能源、电子、光电等领域都有广泛的应用。 二、...
区熔法单晶是一种制备高纯度单晶材料的工艺,主要用于半导体、光伏等领域。这种方法通过局部加热材料形成熔融区,并移动熔区实现晶体生长。整个过程在无坩埚环境下进行,能有效减少杂质污染,得到纯度极高的晶体。 材料选择是第一步,通常选用多晶硅或金属作为原料。材料需预先加工成棒状,表面清洁处理去除氧化物和污染物。准备...
1. 电力电子器件:区熔单晶硅具有高耐压、大电流承载能力,是制作电力电子器件的理想材料。如整流器、逆变器等电力转换设备中的核心部件,都离不开区熔单晶硅的支持。 2. 高频高功率器件:在通信、雷达等高频领域,区熔单晶硅以其优异的高频特性和功率处理能力,成为制作高频高功率...
区熔设备包含加热装置,可精确控制温度。原料的纯度对区熔法制备单晶的质量有重要影响。合适的籽晶是引导单晶生长的关键起始点。加热速度会影响晶体生长的速度与质量。区熔过程中的气氛环境可影响单晶的性能。拉速是控制单晶尺寸和结晶质量的参数之一。晶体生长方向由籽晶和工艺条件共同决定。 温度梯度在单晶生长中影响...
夹持机构包括承载板，承载板的两端外壁均设有侧板，两组侧板之间转动连接有转轴，转轴上套有滚动柱，三组移动齿板底部滚动柱的位置均可调，可夹持区熔单晶炉内不同尺寸的单晶硅棒，使用局限性小，适用范围广；且实现了对夹持机构的快速拆装，便于更换夹持机构，节约了生产成本。本文源自：金融界 作者：情报员 ...
区熔法主要用于生产单晶硅。 一、区熔法简介 区熔法是一种重要的硅材料生产技术,广泛应用于半导体行业。该方法通过在局部区域加热硅材料至熔化状态,然后缓慢冷却,以实现硅材料的提纯和单晶化。这一过程中,杂质元素会被排除在固化区域之外,从而得到高纯度的硅单晶。 二、区熔法与单...
区熔法晶体生长技术工业上被称为悬浮区熔法,简称区熔法(FZ),这种技术是指在气氛或真空的炉室中,利用高频线圈在单晶籽晶和其上方悬挂的多晶硅棒的接触处产生熔区,然后使熔区向上移动进行单晶生长。由于硅熔体完全依靠其表面张力和高频电磁力的支托,悬浮于多晶棒与单晶之间,因此不需要坩埚等其他载体,这是区熔法显...
因此,明确区熔单晶硅的标准对于确保其质量和应用效果至关重要。 一、区熔单晶硅的定义 区熔单晶硅是指通过区熔法制备得到的单晶硅材料。区熔法是一种高纯度的单晶硅制备方法,通过在硅棒上形成狭窄的熔化区域,并沿硅棒长度方向逐渐移动熔化区域,从而实现硅材料的单晶化。 二、制备过程中的关键控制点 在区...
区熔法是利用热能在半导体棒料的一端产生一熔区,再熔接单晶籽晶。调节温度使熔区缓慢地向棒的另一端移动,通过整根棒料,生长成一根单晶,晶向与籽晶的相同。区熔法又分为两种:水平区熔法和立式悬浮区熔法。前者主要用于锗、GaAs等材料的提纯和单晶生长。后者主676要用于硅,这是由于硅熔体的温度高,化学性能...
熔区加热使用感应线圈在多晶硅棒的局部区域加热，形成高温熔区。熔区由种晶引导，逐渐扩展并覆盖整个多晶棒的一端。熔区移动在感应加热装置的控制下，熔区沿硅棒从一端移动到另一端。在移动过程中，熔区前方的多晶硅逐渐熔化，而后方的硅液逐渐凝固并形成单晶结构。杂质的定向分离杂质通常集中于熔区，随着熔区移动...