北京化工大学教授张纪才受邀参加会议,并做《(11-22)AlN材料的HVPE生长及其二极管制备研究》的主题报告,将分享最新研究报告。相比于极性面上的电子器件,使用非极性面有利于电子器件实现增强模式(、提高温度稳定性、减少滞后性和增加灵敏度等。然而,由于AlN本身的物理特性,导致其生长制备比较困难,在AlN异质外延生长中,晶格...
姓名:张纪才职称:教授职务:物理学部副主任联系方式:jczhang@mail.buct.edu.cn教育背景2005年07月,中国科学院半导体研究所,获博士学位工作经历2005年12月-2006年10月,以色列理工大学,博士后2006年11月-2010年3月,日本名古屋工业大学,讲师(研究机构研究员)2010年4月-2010年7月,日本三重大学,研究员2010年7月-2017...