计算PN结的势垒高度需要使用以下公式: Vbi = (k * T / q) * ln(Na * Nd / ni^2) 其中,Vbi表示势垒高度,k是玻尔兹曼常数,T是绝对温度,q是电子电荷,Na和Nd分别是P型和N型材料中的杂质浓度,ni是本征载流子浓度。 通过这个公式,我们可以计算出PN结的势垒高度。下面我们将详细解释公式中的每个参数的含义和...
肖特基势垒高度计算公式(D(barrier height))可以用来计算金属和半导体接触之间势垒形成时的势垒变化情况,有时也用于判断接触器的迁移电阻率,或金属的易金属性,用来衡量设备结构的耐腐蚀性能,这可以通过肖特基势垒计算解决。公式为:D(barrier height)=q*(sqrt(Nd)(Pd2/Nd)+sqrt(Ns)(Ps2/Ns))/2σA,其中,q为电荷...
晶界势垒高度的测量和计算【数据处理】 样品1: 小圆片面积S=π*(Φ/2)2=(13.74/2)2*π=148.27mm2=1.48*10^(-4)m2; 厚度h=2.22mm=0.00222m 直线拟合法: 多温度点测量法: 有上述实验可知,当E1/2=0时: T=30℃,㏑[J/(AT^2)]=-32.199 T=50℃,㏑[J/(AT^2)]=-31.810 T=80℃,㏑[J/(AT^...
其中J0 为反向饱和电流密度,J0 = AT^2 exp(qΦB / (kT)),A 为常数,ΦB 为势垒高度。 首先计算 J0: J0 = AT^2 exp(qΦB / (kT)) A取 1×10^6 A/(m^2·K^2),T = 300 K,ΦB = 07 eV = 112×10^-19 J J0 = 1×10^6×300^2×exp(-112×10^-19 / (138×10^-23×300)...
[4]的基础上,结合金属 半导体接触势垒模型,提出了一种采用平均键能Em作为参考能级的金属 半导体接触势垒高度的计算方法,本文介绍该方法的主要研究结果 2金属 半导体接触势垒模型图1( D~(bD分别表示Scho ky[3]最早提出的接触势垒模型和目前在半导体器件物理中采用的B rdeen接触势垒模型[4] 图中Zm和 s是金属的第...
笔者在异质结带阶理论计算[1]和平均键能的物理内涵研究[4]的基础上,结合金属2半导体接触势垒模型,提出了一种采用平均键能Em作为参考能级的金属2半导体接触势垒高度的计算方法,本文介绍该方法的主要研究结果。2 金属2半导体接触势垒模型图1(a)、(b)分别表示Schottky[3]最早提出的接触势垒模型和目前在半导体器件物理中...
1收稿, 2 O O 3 - O 5 - 1 7收改稿王仁智蔡淑惠摘要:采用平均键能作为参考能级计算了十种金属-半导体接触势垒高度,其计算结果与实验值的符合程度不亚于T e r s o f f和M o方法一样,可作为金属-半导体接触势垒高度的一种理论计算方法O关键词:势垒高度;平均键能方法;费米能级中图分类号: O4 7 1 . ...
1收稿, 2 O O 3 - O 5 - 1 7收改稿王仁智蔡淑惠摘要:采用平均键能作为参考能级计算了十种金属-半导体接触势垒高度,其计算结果与实验值的符合程度不亚于T e r s o f f和M o方法一样,可作为金属-半导体接触势垒高度的一种理论计算方法O关键词:势垒高度;平均键能方法;费米能级中图分类号: O4 7 1 . ...
一种基于最小二乘法的肖特基势垒高度计算方法专利信息由爱企查专利频道提供,一种基于最小二乘法的肖特基势垒高度计算方法说明:本发明公开一种基于最小二乘法的肖特基势垒高度计算方法,其特征在于该计算方法包括以下主要步骤:利...专利查询请上爱企查