势垒高度的单位为米。势垒高度是1993年公布的电子学名词，出自《电子学名词》第一版。公布时间1993年，经全国科学技术名词审定委员会审定发布。出处《电子学名词》第一版。
其中,Vbi表示势垒高度,k是玻尔兹曼常数,T是绝对温度,q是电子电荷,Na和Nd分别是P型和N型材料中的杂质浓度,ni是本征载流子浓度。 肖特基二极管势垒高度公式 势垒高度是指半导体与金属接触处形成的量子力学势垒的高度。势垒高度的大小直接影响到肖特基二极管的导通电流和反向漏电流。 势垒高度的计算公式为:qVD=Wm-Ws,其...
某金属与均匀掺杂的n-Si形成肖待基势垒接触,已知半导体一边的势垒高度qVD=0.6eV,ND=51015cm-3,试求在5V反偏电压下的阻挡层厚度、最大电场强度以及单位面积的势垒电容,并画出该接触的1/C2对(VDU)的关系曲线。 相关知识点: 试题来源: 解析 解:根据阻挡层厚度公式可得 带入数据计算: 根据最大电场强度公式可...