($V_{bi}$为内建电势,硅PN结典型值0.5~0.7 V) - 反偏主导:反向偏压下势垒电容占主导,正向偏压时因耗尽区缩小,影响减弱。 - 频率特性:在MHz以下频段表现稳定,高频时因载流子响应延迟效应显著。 二、扩散电容的形成机理与特点 1. 形成机理 扩散电...
势垒电容是PN结反向偏置时耗尽层电荷变化引起的电容;扩散电容是正向偏置时载流子注入与存储导致的电容。 1. **势垒电容(Barrier Capacitance)** - 当PN结反向偏置时,耗尽层(空间电荷区)的宽度随电压变化。 - 电荷量的变化(耗尽层中的电离施主和受主)与电压变化率的比值即为势垒电容。本质上是平行板电容模型。
PN结的势垒电容是由耗尽层内电荷量随外加电压变化引起的电容效应。掺杂浓度越高,势垒电容越大。 1. **势垒电容的定义**:PN结的势垒电容(也称耗尽层电容)是由于空间电荷区(耗尽层)中存储的电荷量随外加电压变化而产生的电容效应。当外加电压变化时,耗尽层的宽度会改变,导致电荷量的变化,从而形成电容。2. **掺...
在PN结的两侧形成了电场,这个电场会影响PN结中的载流子移动,从而形成了电容。 二、势垒电容的分布位置 二极管中的势垒电容主要分布在PN结中间的势垒处。当二极管处于正向偏置状态时,PN结中的电场会变弱,禁带宽度变窄,势垒电容变小;当二极管处于反向偏置状态时,PN结中的电场会变强,禁带宽...
PN结电容包括势垒电容和扩散电容两种。6.1、PN结的势垒电容 在PN结两端接反向偏压时，空间电荷区存在着...
势垒电容是一种PN结型电容器,由p型半导体和n型半导体组成。其具有瞬时存储电荷并延迟其释放的特性。在电容器中,当电荷存储在极板上时,容器就会带电;而在势垒电容器中,当电荷穿过PN结时,它就会被留在结区域中。这使得势垒电容器成为一种快速响应和高频响应的电容器。 二、势垒电...
扩散电容机理:PN结正偏时多子注入形成浓度梯度,载流子扩散中产生电荷储存效应。正偏电压改变时非平衡少子浓度分布变化形成扩散电容。 两种电容特性差异:反向偏置主要呈现势垒电容(耗尽层效应),正向偏置主要呈现扩散电容(载流子输运效应),两种电容同时存在但主导状态不同。
结电容的起源(扩散电容和势垒电容) 相关知识点: 试题来源: 解析 答:结的电容来源主要有势垒电容和扩散电容: (1)势垒电容:当结加正向电压时,势垒区的电场将随正向偏 压的增加而减弱,势垒区宽度变窄,空间电荷数量减少。因为空 间电荷是由不可移动的杂质离子组成的, 所以空间电荷的减少是 由于 n 区的电子和 p...
二、势垒电容的精确位置 深入二极管的内部,我们可以发现势垒电容主要集中于PN结的耗尽层内。这个特殊的区域,因P型和N型半导体的结合而形成,具备显著的电容特征,且电容值会随施加电压的改变而变化。 三、势垒电容对二极管性能的影响 势垒电容在二极管运作过程中扮演着举足轻重...
势垒电容 势垒电容是指PN结的正、负载极之间形成的电容,因其具有特殊的电学特性而被广泛应用于各种电路中。PN结是半导体器件中最基本的结构之一,在PN结内部由于载流子浓度不同而形成耗尽层,耗尽层两侧存在差异电位,从而形成了势垒电场和势垒电容。 1.势垒电容简介...