对于单边突变PN结(例如P⁺N结或N⁺P结,其中一侧掺杂浓度远高于另一侧),势垒区宽度的分布主要由低掺杂侧的浓度决定。这是因为在耗尽层近似下,耗尽区的总电荷量必须满足电中性条件,即高掺杂侧单位面积内的电荷量等于低掺杂侧的电荷量(Q = qN_A x_p = qN_D x_n)。由于单边结中一侧掺杂浓度极高(如N⁺...
势垒区宽度变化直接影响器件导通特性。宽度缩减意味着载流子穿越势垒所需能量降低，对应伏安特性曲线中电流指数增长阶段。工程设计中需精确控制掺杂浓度，浓度梯度越陡峭，同等电压下势垒区宽度变化越明显，器件开关特性越理想。在瞬态工作状态下，势垒区宽度变化存在响应延迟。电压突变时，载流子需要时间完成重新分布，这导致...
在实际应用中,设计师需要根据具体需求来选择合适的掺杂浓度和势垒区宽度。例如,在需要高速开关的电路中,通常会选择掺杂浓度较高、势垒区宽度较窄的二极管,以获得更快的响应速度。而在需要承受高电压的场合,则可能会选择掺杂浓度较低、势垒区宽度较宽的二极管,以确保其耐...
半导体器件比如二极管p区n区中间夹着个势垒区,外加电场会改变势垒区的宽度,电场方向加对了会使势垒区变窄,使电子更容易越过从而使电阻变小,反之变大,如果是本征半导体那就没这问题 来自Android客户端8楼2023-10-11 12:40 收起回复 yifanliu99: 谢谢层主,我把我误人子弟的回答删掉了。 2023-10-11 16:02回复...
解析 反比;低 耗尽层宽度W由公式W∝ 1/(√N),其中N是总的有效掺杂浓度(N = N_A*N_D/(N_A+N_D))。由于N与掺杂浓度成反比关系,故耗尽层宽度与掺杂浓度成反比。空间势垒区的扩展主要发生在掺杂浓度较低的一侧,因为高掺杂区域需要更小的宽度就能提供等量的电荷以满足电中性条件。
p区有均匀受主杂质浓度。因整个报导体满足电中性条件，势垒区内电荷总量相等，即:n区均匀施主杂质浓度Xn区空间电荷区的宽度=p区均匀受主杂质浓度Xp区空间电荷区的宽度 所以掺杂浓度越高，空间电荷区即耗尽层的越窄。具体推导参阅刘恩科半导体物理学pn结那一章的突变结的势垒电容。
解析 解:对上题所设的p+n结,其势垒宽度 式中, 外加偏压U后,势垒高度变为,因而 ① U=-10V时,势垒区宽度和单位面积势垒电容分别为 ② U=0V时,势垒区宽度和单位面积势垒电容分别为 ③ U=0.3V 正向偏压下的pn结势垒电容不能按平行板电容器模型计算,但近似为另偏压势垒电容的4倍,即...
pn结势垒区宽度计算公式Eg=140/λgeV。根据查询相关资料信息，禁带宽度是指一个带隙宽度(单位是电子伏特(ev))，固体中电子的能量是不可以连续取值的，而是一些不连续的能带，要导电就要有自由电子或者空穴存在，禁带宽度的计算公式是Eg=140/λgeV，自由电子存在的能带称为导带，自由空穴存在的能带称为价带...
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