以下是动态HTRB测试的主要条件: 一、温度条件 动态HTRB测试通常在高温环境下进行,温度范围一般在85°C至150°C之间。具体温度取决于被测试样品的设计要求和应用场景。高温环境可以加速材料老化过程,从而更快地暴露出潜在的可靠性问题。 二、湿度条件 在动态HTRB测试中,湿度也是一个重要的考虑因素。通常,测试会在相对湿...
动态HTRB测试通常需要持续一段时间,以观察材料在高温、高湿度和应力作用下的长期表现。测试时间可以从几小时到几千小时不等,具体取决于测试标准和被测试样品的预期使用寿命。 综上所述,动态HTRB测试条件包括特定的温度、湿度、应力水平和测试时间。这些条件共同作用于被测试样品,以评估其在恶劣环境下的可靠性和稳定性。
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现代宽禁带功率器件 (SiC, GaN) 上的开关晶体管速度越来越快,使得测量和表征成为相当大的挑战。与 HTRB高温偏置试验一一对应,AQG 324 该规定了动态偏置试验,即动态高温反偏(DHRB,Dynamic hightemperature reverse bias)。KC-3105 测试系统中可同时完成HTRB和DHTRB测试,整体架构模块化,通讯协议、通讯接口等采用统一...
动态老化测试系统 Dynamic HTGB/HTRB• 测试目的:对GaN/SiC等器件进行动态压力测试,在温度环 境下对其老化特性(漏电流,阈值电压,动态导通电阻等指 标)进行分析 • 系统特点:一套系统可以完成静态HTRB/HTGB和动态 HTRB/HTGB测试, 四种测试模式可以自由组合切换 ...
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KC- 3105 功率半导体器件动态可靠性 HTRB/DHTRB测试系统现代宽禁带功率器件 (SiC, GaN) 上的开关晶体管速度越来越快,使得测量和表征成为相当大的挑战。与 HTRB高温偏置试验一 一对应,AQG324 该规定了动态偏置试验,即动态高温反偏(DHRB,Dynamic high-temperature reverse bias)。功率半导体器件测试系统。咨询电话:...
单管MOSFET的动态HTRB, HTGB测试器件 需求详情 2024-07-26 168 行业分类:元器件 产品名称:单管MOS 检测需求: 联系人:陈** 联系方式:139*** 地区:深圳市 预算: ——— 如何发布您的需求 ——— 1.点击需求发布,进入需求发布页; 2.详细填写需求,如有...