百度试题 结果1 题目功率晶体管GTR从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为( )。 A. 一次击穿; B. 二次击穿; C. 临界饱和; D. 反向截止; 相关知识点: 试题来源: 解析 B; 反馈 收藏
[单选] 功率晶体管GTR从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为()。A . A.一次击穿B . B.二次击穿C . C.临界饱和D . D.反向截止
功率晶体管GTR从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为 A、一次击穿 B、二次击穿 C、临界饱和 D、反向截止
功率晶体管GTR从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为二次击穿。二次击穿是指功率晶体管早期失效或突然损坏的重要原因，已成为影响功率晶体管安全可靠使用的重要因素。自从1957年Trornton和Simmons发现二次击穿现象以来，二次击穿一直受到十分关注。当集电极反偏电压逐渐升高到某一数值时，集电极电流急剧...
变频调速时,若保持电动机定子供电电压不变,仅改变其频率进行变频调速,将引起磁通的变化,出现励磁不足或励磁过强的现象。 答案:正确 手机看题 判断题 在变频调速时,为了得到恒转矩的调速特性,应尽可能地使用电动机的磁通φm保持额定值不变。 答案:正确
功率晶体管GTR从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为___。14.MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系,其中前者的截止区对应后者的___、前者的饱和区对应后者的___、前者的非饱和区对应后者的___。相关知识点: 试题来源: 解析 击穿...
百度试题 题目【填空题】功率晶体管GTR从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为 相关知识点: 试题来源: 解析 ["二次击穿"] 反馈 收藏
功率晶体管GTR从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为() a.一次击穿b.二次击穿 c.临界饱和d.反向截止的答案是什么.用刷刷题APP,拍照搜索答疑.刷刷题(shuashuati.com)是专业的大学职业搜题找答案,刷题练习的工具.一键将文档转化为在线题库手机刷题,以提高学习效率,
这不是二次击穿吧，具体该把现象称为什么名称我也不知道，不过可以大致的说下原理 这类电路是DC-DC Converty电路，具体种类很多，典型的一类就是斩波电路，这类电路是削去某段波形来截止输入的电压，从而改变输出电压，基本原理是调节PWM信号的占空比来控制导通和关闭.因为能量守恒，PO<PI，所以如果是...
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