器件设计: code: MOSFET设计: 器件原理: 器件设计: code: IGBT设计: 器件原理: 器件设计: code: BJT设计: 器件原理: 器件设计: code: JFET 器件结构: 器件原理: 晶闸管: 器件结构: 器件原理: 效应: 写在最后: 简述: 使用TCAD-Silvaco设计功率器件,仿真并分析器件结构和原理及性质。如果对你有
当器件功率密度提升，单一管脚的电流增加，如IKQ150N65EH7，一个TO-247封装的150A 650V单管，其集电极直流电流是160A，限制是引线。那么在芯片散热允许的情况下，设计中不希望PCB成为器件输出电流的瓶颈，这样的话才能最大限度利用器件，不因为PCB限制而降额使用，以降低系统成本。摘自IKQ150N65EH7数据手册 模块...
在大功率的应用中，选择单管进行功率器件并联设计还是使用模块，应该综合考虑成本、功耗、安装便利性等因素。安森美作为全球领先的功率半导体器件供应商，其产品线涵盖了广泛的选择，旨在满足不同应用场景下的功率管理需求。在功率器件的选用上，无论是追求极 致效率的单管解决方案，还是高度集成、优化散热的模块化设计，...
猎聘功率器件设计工程师招聘频道为您提供大量的功率器件设计工程师招聘信息,有超过10000多功率器件设计工程师招聘信息任你选寻,招聘功率器件设计工程师人才就来猎聘功率器件设计工程师招聘!求职找工作就用猎聘聊。
猎聘功率器件设计招聘频道为您提供大量的功率器件设计招聘信息,有超过10000多功率器件设计招聘信息任你选寻,招聘功率器件设计人才就来猎聘功率器件设计招聘!求职找工作就用猎聘聊。
功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础,只有掌握功率半导体的热设计基础知识,才能完成精确热设计,提高功率器件的利用率,降低系统成本,并保证系统的可靠性。 功率器件热设计基础系列文章会比较系统地讲解热设计基础知识,相关标准和工程测量方法。
功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。功率器件热设计基础系列文章会比较系统地讲解热设计基础知识，相关标准和工程测量方法。散热 功率半导体器件在开通和关断过程中和导通电流时会产生...
脉冲VNA负载拉移技术被用来测量飞思卡尔公司广泛的功率晶体管产品,包括170W WCDMA器件MRF7S21170H。该器件的负载拉移功率等高线显示,1dB压缩点的脉冲输出功率高于+53dBm(200W),2.14GHz频率下的增益为19.94dB(图5)。由于具有这些技术,MRF7S21170H的最终匹配网络设计变成非常简单,只需为同时优化功率密度、增益、效率,...
猎聘功率器件设计招聘招聘频道为您提供大量的功率器件设计招聘招聘信息,有超过10000多功率器件设计招聘招聘信息任你选寻,招聘功率器件设计招聘人才就来猎聘功率器件设计招聘招聘!求职找工作就用猎聘聊。