常见金属的功函数集中,以备查询 Metal 银 Ag (silver) 铝 Al (aluminum) 金 Au (gold) 铯 Cs (cesium) 铜 Cu (copper) 锂 Li (lithium) 铅 Pb (lead) 锡 Sn (tin) 铬 Cr (Chromium) 钼 Mo(Molybdenum) 钨 Tungsten 镍 Nickel 钛 Titanium 铍 Beryllium 镉 Cadmium 钙 Calcium 碳 Carbon 钴 ...
小弟最近在找关于碳化钼,碳化钨及一些常见载体,比如三氧化二铝等的功函作为催化剂的支撑。但是网上资源非常少。希望大神不吝赐教,谢谢。 催化 催化资源
常见金属的功函数集中, 以备查询 Metal Work Function (eV) 银 Ag (silver) 4.26 铝 Al (aluminum) 4.28 金 Au (gold) 5.1 铯 Cs (cesium) 2.14 铜 Cu (copper) 4.65 锂 Li (lithium) 2.9 铅 Pb (lead) 4.25 锡 Sn (tin) 4.42 铬 Cr (Chromium) 4.6 钼 Mo(Molybdenum) 4.37 钨 Tungsten 4.5...
银的功函数一般回答为4.26 ，但不同的晶面有出入。例如100面4.64；119面4.52；111面4.74.银的电导率金属中最高，为6.3× 10↑7 S / m。石墨烯的功函数约为4.6。
上述TCO薄膜功函数的对比分析方法,包括以下步骤:A1取测试装置,该测试装置中硅片、TCO薄膜和若干金属Ag栅线依次层叠设置;A2分别测量相邻两根Ag栅线之间的电阻R;A3测量上述区域内TCO的方块电阻r1,经过计算得出两根Ag栅线之间TCO薄膜的电阻r,经计算得出对比电阻Rs;A4重复步骤A1‑A3以计算不同TCO薄膜的Rs,对比不同TCO...
本发明公开了一种功函数可调的银纳米线复合透明导电薄膜的制备方法,包括以下步骤:透明导电薄膜衬底的清洗和亲水化处理;取银纳米线分散液涂布在亲水化处理后衬底上,干燥后获得银纳米线透明导电薄膜;将前驱体溶液涂布在银纳米线透明导电薄膜上,干燥后得到银纳米线复合透明导电薄膜;最后经热处理,获得功函数可调的银纳米线...
1.一种基于超薄低功函数金属的高透明度自封装顶发射电极的制备方法,其步骤如下:A.清洁透明基底,烘干;B.在步骤A得到的基底或OLED器件的有机功能层上制备传输层,传输层材料为金属氧化物,其厚度在0.5-10nm范围内;C.在步骤B得到的传输层上制备超薄低功函数金属层,金属层材料为具有较低功函数的碱土金属,或者是其中...
一种有效调制TiN金属栅功函数的方法,其特征在于:在已经光刻好的具有栅介质层的图形样品上淀积第一层TiN薄膜作金属栅电极,接着在这层TiN薄膜上淀积镱薄膜,然后再在镱薄膜上面淀积第二层TiN薄膜作覆盖层,最后进行光刻胶剥离处理,形成具有一定图形的TiN/Yb/TiN/栅介质层/衬底Si结构样品;之后对样品进行热退火处理。
本发明公开了一种调节金属栅的栅功函数的方法,该方法包括:局部氧化隔离或浅槽隔离,进行注入前氧化,然后注入14N+;漂净注入前氧化膜,栅氧化,并沉积多晶硅;光刻、刻蚀形成多晶硅栅电极;注入杂质,杂质激活;淀积金属镍,退火硅化,使金属镍和多晶硅完全反应形成全硅化物金属栅;选择去除未反应的金属镍。本发明提供的方法,...