型号 BCB3000系列 工艺 精湛 贮存方式 避光常温保管 封装 纸箱 产品类型 半导体材料 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准,如用户在爱采购上完成线上购买,...
针对基于外延层转移技术的InP HBT与Si COMS异质集成工艺中的器件互连问题,本文系统性地开展了ICP干法刻蚀BCB(苯并环丁烯)工艺研究.重点研究了射频功率,腔室压强和刻蚀气体SF6/O2体积比等条件对刻蚀速率,刻蚀通孔洁净度和通孔侧壁形貌的影响.在此基础上通过相关刻蚀工艺的合理优化,实现了孔深5μm,深宽比1:1,侧...
该湿法刻蚀工艺不仅可以实现与ICP-RIE相媲美的加工质量,还具备工艺、器件性能上的独特优势。相关成果以“基于湿法刻蚀加工的高Q值薄膜铌酸锂微环”(High-Q thin film lithium niobate microrings fabricated with wet etching)为题发表在了《先进...
半导体刻蚀工艺是一种精密加工技术,广泛应用于半导体制造领域。这种工艺通过化学或物理方法,将材料表面进行选择性去除,形成所需的微细结构。操作人员的专业经验和工艺参数的精确控制,对加工效果有着重要影响。进行蚀刻加工时,操作人员需要佩戴防护眼镜、手套等个人防护用品,确保安全操作。
1. 干法刻蚀 干法刻蚀是一种使用气体或等离子体来加工材料的刻蚀方法。在干法刻蚀过程中,气体被放电激活,产生的等离子体会对半导体表面产生化学反应,从而实现对半导体表面的刻蚀。干法刻蚀具有高能量、高速度和可选择性等优点,适用于对高硬度材料的加工。 2. 湿法刻蚀 湿法刻蚀是一种使用...
除了刻蚀技术外,单晶硅片的反射率还受到其他因素的影响。首先是硅片表面的粗糙度。表面越粗糙,光散射越强,反射率通常越低。其次是材料的折射率。单晶硅的折射率较高,这也是导致其反射率高的原因之一。 四、优化反射率的实践应用 在实际应用中,科研人员通过精确控制刻蚀条件,如刻蚀时间、温度、气体...
主要影响领域包括半导体中刻蚀、薄膜沉积、离子注入、清洗去胶等环节和光伏中薄膜沉积环节,射频电源的性能对形成的等离子体质量和稳定性至关重要,因此对于输出方式、输出效率、输出稳定性等都有极高要求,是半导体零部件中高技术壁垒的零部件之一。 射频电源价值约为设备成本1...
半导体生产中干法刻蚀的优点 03月15日 一、工作原理 干法刻蚀是指利用低温等离子体或化学气相反应的原理进行刻蚀的方法。它通过在真空中产生等离子体或者将气体注入反应室,在气体中通过加能使气体分子发生引起化学反应的碰撞,从而刻蚀掉材料表面的部分区域。 二、优势与应用 1. 高选择性 干法刻...
为了避免升温和降温对氧化硅刻蚀的影响,在三氟化氮刻蚀氧化硅时,应该选择适当的加热温度,使刻蚀速率达到最优化。实际操作中,可以在刻蚀前预热晶圆,将温度升高到150℃,然后再进行刻蚀。此时,加热过程中三氟化氮的分子会裂解,刻蚀速率加快;而刻蚀后降温时,三氟化氮能够有效地裂解并...
感应耦合等离子体刻蚀机 项目所在采购意向: 华中科技大学2022年11月政府采购意向 采购单位: 华中科技大学 采购项目名称: 感应耦合等离子体刻蚀机 预算金额: 400.000000万元(人民币) 采购品目: A02052402真空应用设备 采购需求概况 : 晶圆尺寸:< 8 英寸;主要气体:Cl2、BCl3、N2、Ar、CHF3、CF4、SF6、O2;主要刻蚀...