刻蚀速率选择比1. The main problems are the low Etch Rate Selectivity causing Over etch on the top Oxide of Gate and the low Etch Rate Uniformit. 18微米技术侧壁(Spacer)工艺在栅极密集区域,栅极底部有斜坡的缺陷,指出了现有设备和工艺所遇到的一些问题,然后针对所面临的主要问题,即因为刻蚀速率选择比...