这些设备在结构上有所不同,但核心部件通常包括射频电源、电极、真空腔体和气源等。 1. 反应离子刻蚀机(RIE):其结构相对简单,主要由射频电源、阳极、阴极、气源和真空泵组成。在工作时,射频电源对气体施加电场,使其电离成等离子体,然后利用自偏压效应加速离子轰击材料表...
控制系统是整个设备的“大脑”,负责监控和调节各项工艺参数,如气体流量、压力、温度、电源功率等。通过精确的调控,确保刻蚀过程的稳定性和可重复性。 三、其他辅助系统 除了以上核心结构外,干法刻蚀设备还包括一些辅助系统,如温度控制系统、废气处理系统等。这些系统协同工作,保证了设备的高效和稳定运行。 综上所述,...
RIE设备的结构通常比较简单,一般由射频电源、阳极、阴极、气源和真空泵组成,其中,晶圆位于阴极上,射频电源与阴极相连接,在刻蚀开始时,射频电源施加电场到气体上,气体被电离为离子、电子、原子和分子,其中由于电子的运动速度远大于其他离子,在刻蚀腔中会形成明显的鞘区,在晶圆上方会形成自偏压的电场,RIE利用该效应吸引...
结构特点：单片清洗机是针对单个晶圆进行清洗的设备，其结构相对简单，主要由一个或多个清洗槽组成，每个清洗槽内都装有特定的清洗液和清洗装置。盛放化学溶液的容器 该容器需选用能抵抗化学腐蚀的材料制成，以确保设备的稳定性和耐用性。管道系统 管道系统如同设备的“血管”，负责将化学溶液运输到需要刻蚀的地方，确...
2022年全球半导体设备市场中刻蚀设备占比约为22%,是占比最高的设备环节。近几年,全球刻蚀设备市场规模呈现持续增长的趋势,2019-2022年全球刻蚀设备市场规模由110亿元增长至184元,预计2023年将增长至192亿美元。 2、全球刻蚀设备产品结构 分具体产品来看,ICP刻蚀设备及CCP刻蚀设备分别占刻蚀设备市场规模的47.9%和47.5%...
目前,国内刻蚀机设备市场主要产品包括普通型刻蚀机和光刻机。根据市场调研结果,普通型刻蚀机市场占有率较大,约占总刻蚀机市场的70%左右。而光刻机虽然技术含量较高,但其价格较为昂贵,主要应用于高端市场,市场占有率相对较小。此外,还有一些小众市场的刻蚀机设备,其...
1)3D NAND/DRAM:高深宽比结构制造常 采用CCP刻蚀设备。2)逻辑:GAA晶体管制造需要准确且高选择性的SiGe各向同性刻蚀;通过刻蚀设备采用多重曝光技术成为 我国突破光刻极限关键手段。3)互连:HBM等多芯片堆叠结构以及背面供电架构均需构建TSV;深孔刻蚀是TSV的关键工艺, 其中Bosch刻蚀是首选技术,通常选择ICP刻蚀设备。
石英MEMS传感器敏感芯片湿法刻蚀设备结构 湿法蚀刻一般分为①化学蚀刻液向片晶表面扩散②蚀刻液与片晶材料发生化学反应③反应后产物从片晶表面扩散至溶液中排出。一般情况下,溶液温度越高,扩散越快,浓度越高,腐蚀性越强,腐蚀速率也就越大。HF+NH4F+H2O溶液与石英晶体反应生成SiF62-离子,反应过程中产生的气泡也会...
专利摘要显示，本实用新型属于晶圆刻蚀设备技术领域，具体地说是一种晶圆刻蚀设备的密封结构，适用于晶圆刻蚀设备的电机防护罩与升降 CUP，电机防护罩的外周边缘开设有密封圈安装槽，密封圈安装槽中镶嵌有密封圈，升降 CUP 的顶端开口处向靠近电机防护罩的内侧方向延伸有密封圈压接沿。本实用新型可使电机防护罩与降下...
而刻蚀腔体内表面部件材料被刻蚀,导致刻蚀机的核心部件刻蚀腔体寿命和可靠性大大被降低,因此,对刻蚀设备中内表面部件材料耐刻蚀性要求也越发重要,由于刻蚀腔体内表面部件形状复杂、孔槽类特征众多且尺寸大,在刻蚀机制造的时候必须多次安装刻蚀腔体内表面部件,这就要求刻蚀腔体内表面部件材料机械强度好,不太容易机械破坏。