已知某DRAM芯片的内部结构为128×128,存取周期为1us。试分析: (1)若采用集中式刷新方式,刷新时间间隔为1ms,则读写时间和刷新时间分为多少个周期?死区占多少时间? (2)若采用分散式刷新方式,则相邻两行之间的刷新间隔是多少?相关知识点: 试题来源: 解析...