已知某DRAM芯片的内部结构为128×128,存取周期为1us。试分析: (1)若采用集中式刷新方式,刷新时间间隔为1ms,则读写时间和刷新时间分为多少个周期?死区占多少时间? (2)若采用分散式刷新方式,则相邻两行之间的刷新间隔是多少?相关知识点: 试题来源: 解析...
一个8K×8位的动态RAM芯片,其内部结构排列成256×256形式,存取周期为。试问采用集中刷新、分散刷新和异步刷新三种方式的刷新间隔各为多少?相关知识点: 试题来源: 解析 解:采用分散刷新方式刷新间隔为:2ms,其中刷新死时间为: 采用分散刷新方式刷新间隔为:256×() 采用异步刷新方式刷新间隔为:2ms...
RM存储器特点?刷新方式?所谓集中刷新,即在整体RM读取完毕之后进行集中的刷新操作。二、分散刷新分散刷新指的是在每次存取周期之后均进行一次刷新(以行为单位),存取和刷新交替进行。
一个8K×8位的动态RAM芯片,其内部结构排列成256×256形式,存取周期为0.1μs。试问采用集中刷新、分散刷新和异步刷新三种方式的刷新间隔各为多少? 正确答案 采用分散刷新方式刷新间隔为:2ms,其中刷新死时间为:256×0.1μs=25.6μs 采用分散刷新方式刷新间隔为:256×(0.1μs+×0.1μs)=51.2μs 采用异步刷新方式...
一个8KX8位的动态RAM芯片,英内部结构排列成256X256形式,存取周期为us。试 问采纳集中刷新、分散刷新和异步刷新三种方式的刷新距离各为多少?相关知识点: 试题来源: 解析 解:采纳分散刷新方式刷新距离为:2ms,其中刷新死时刻为:256X u s= u s 采纳分散刷新方式刷新距离为:256X ( us+X us) =us 采纳异步刷新...
一个8K×8位的动态RAM芯片,其内部结构排列成256×256形式,存取周期为μs。试问采纳集中刷新、分散刷新和异步刷新三种方式的刷新距离各为多少?相关知识点: 试题来源: 解析 解:采纳分散刷新方式刷新距离为:2ms,其中刷新死时刻为:256×μs=μs 采纳分散刷新方式刷新距离为:256×(μs+×μs)=μs 采纳异步刷新...
一个_ 结构的动态RAM芯片,每隔2ms要刷新一次,若采用异步刷新方式,且刷新是按顺序对所有128行的存储元进行内部读操作和写操作实现的。设存取周期为0.5μs,求刷新
一个8K×8位的静态RAM芯片,其内部结构排列成256×256形式,存取周期为0.1μs。试问采取集中刷新、分离刷新和异步刷新三种方法的刷新间隔各为几多?相关知识点: 试题来源: 解析 解:采取分离刷新方法刷新间隔为:2ms,其中刷新死时间为:256×0.1μs=25.6μs 采取分离刷新方法刷新间隔为:256×(0.1μs+×0.1μs)=...
g.对具有1024个记忆单元32x32的存储矩阵)的存储芯片进行刷新,假设存取周期为500ns(0.5s)试分析釆用集中刷新、分散刷新和异步刷新三种方式的刷新情况
一个8K×8位的动态RAM芯片,其内部结构排列成256×256形式,存取周期为0.1μs;试问采用集中刷新、分散刷新和异步刷新三种方式的刷新间隔各为多少?相关知识点: 试题来源: 解析 解:采用集中刷新方式刷新间隔为:2ms,其中刷新死时间为:256×0.1μs=25.6μs 采用分散刷新方式刷新间隔为:256×0.1μ=25.6μs 采用异步...