(GaN HEMT)的等效模型及其结构,分析了GaN HEMT的工作原理以及开关特性,并对其进行损耗分析和开关特性仿真.由于GaN HEMT具有非常高的开关速度以及极低的导通电阻,会导致了GaN HEMT在开关过程中具有很大的电压变化率(dv/dt)和电流变化率(di/dt),引发GaN HEMT在开关过程中波形产生尖峰和振荡.其次分析了影响GaN HEMT...