凸块制造技术起源于 IBM 在 20 世纪 60 年代开发的 C4 工艺,即"可控坍塌芯片连接技术"(Controlled Collapse Chip Connection'),该技术使用金属共熔凸点将芯片直接焊在基片的焊盘上,焊点提供了与基片的电路和物理连接,该技术是集成电路凸块制造技术的雏形,也是实现倒装封装技术的基础,但是由于在当时这种
凸块制造技术起源于 IBM 在 20 世纪 60 年代开发的 C4 工艺,即"可控坍塌芯片连接技术"(ControlledCollapse Chip Connection'),该技术使用金属共熔凸点将芯片直接焊在基片的焊盘上,焊点提供了与基片的电路和物理连接,该技术是集成电路凸块制造技术的雏形,也是实现倒装封装技术的基础, 但是由于在当时这种封装方式成本极...
此外，集成电路凸块制造技术是先进封装技术的基础，具有较高的技术门槛。公司是国内少数同时具备金凸块、铜镍金凸块、铜柱凸块以及锡凸块大规模量产的先进封测厂商。公司以金凸块制造为起点，在微细间距、高可靠性的金凸块制造方面取得较多领先成果。自主研发的“微细间距金凸块高可靠性制造技术”，可在约30平方毫...
目前凸块制造技术底层工艺专利已成为公开技术,国内外同行业公司凸块制造技术均在原有凸块制造底层工艺上进行各个环节的技术创新,以达到终端应用发展的需求。 ④凸块制造技术是先进封装技术发展与演变的重要基础 随着集成电路行业技术的进步与终端电子产品需求的提高,凸块制造技术也不断突破技术瓶颈、实现大规模产业化,...
随着集成电路晶圆制程技术从2000年左右的300nm发展到目前的7nm,凸块间距也发展到100μm以下的极细间距领域,单芯片上的金属凸块超过1,500个,需要每个凸块都同基板上的线路形成良好电气接触,高密度细间距凸块布局对封测企业的凸块制造技术提出了极高要求。目前凸块制造技术底层工艺专利已成为公开技术,国内外同行业公司...
集成电路凸块制造技术是先进封装技术的基础，具有较高的技术门槛。据悉，颀中科技以金凸块制造为起点，在微细间距、高可靠性的金凸块制造方面取得较多领先成果，凭借“微细间距金凸块高可靠性制造技术”，公司可在约30平方毫米的单颗芯片上最多“生长”出四千多个金凸块，并使凸块间的最细间距控制在6μm、...
正是基于这一技术，各类先进的封装技术如倒装（FC）、扇出型（Fan-out）封装等才能得以不断演化和进步。同时，凸块制造技术也是实现芯片级封装（CSP）、三维立体封装（3D）、系统级封装（SiP）等复杂封装结构与工艺的关键所在。此外，硅通孔技术（TSV）、晶圆级封装（WLP）、微电子机械系统封装（MEMS）等前沿技术的...
凸块制造技术作为高端先进封装技术的重要代表,自诞生以来便在电子封装工业界占据至关重要的位置。随着市场需求的日益增长,凸块制造技术也在不断地演进和创新。目前,用于制造凸块的主要材料包括金、铜及铜镍金等,其中Au金因其优越的导电性和抗氧化性,一直是制造凸块的首选材料。然而全球经济的发展和资源逐步紧张,黄金...
自主创新构筑技术壁垒 凸块制造技术优势持续突破 公司始终秉持“以技术创新为核心驱动力”的研发理念,在业内首创125mm大版面的覆晶封装技术,实现成倍增加所封装芯片的引脚数量。截至2022年6月末,公司取得73 项专利、其中35 项为发明专利,实用新型专利38项。
一、C4凸块的制造原理 C4凸块技术使用金属共熔凸点将芯片直接焊在基片的焊盘上,焊点提供了与基片的电路和物理连接。C4凸块技术通过高铅含量的焊料凸块将芯片上的可润湿金属焊盘与基板上的焊盘相连,可以满足具有更细密焊盘的芯片的倒装焊要求。C...