Ge3N4准粒子能带结构计算
运用标准的准粒子GW方法重新考察了BaSe的准粒子能带结构.为便于比较,同时计算了局域密度近似 (LDA)和广义梯度近似(GGA)下的能带.结果表明,LDA和GGA方法都不能准确描述这个材料的带隙.与实验测量 值对比,其误差分别达到3919%和3216%.GW准粒子能带的结果则可以对其带隙作出大幅度的修正,得到与实验 测量相当符合的理论...
g-CN体系的准粒子能带结构和光学特性 g-CN体系的准粒子能带结构和光学特性 梁冬梅,冷霞,马玉臣1山东大学化学与化工学院,济南2501002凯里学院物理与电子工程学院,贵州凯里556011 Bandstructuresofbilayerg-CNThevalencebandmaximumissettozeroinallthepanels.(a)and(b)arebandstructuresofbilayerg-CN1calculatedbyDFT-LDAand...
表明ZnO是一种直接带隙半导体,同时讨论了LDA和GWA计算得到的能带之间的差异. 关键词:ZnO;准粒子能带结构;Gw;第一性原理 0Introduction ZnOisanimportantopticsandsemiconductorma— teria1.Duetoitsuniquepropertiessuchaswidedirect bandgap(3.3eV),largeexcitonbindingenergy ...
在多体微扰理论的框架下,分别采用G_0W_0方法和准粒子自洽GW方法计算3C-SiC和2H-SiC的准粒子能级.由一个平均Monkhorst-Pack网格点上的准粒子能级和准粒子波函数出发,结合最局域Wannier函数插值,得到3C-SiC和2H-SiC的自洽准粒子能带结构.3C-SiC的价带顶在Γ点,导带底在X点.DFT-LDA,G_0W_0和准粒子自洽GW给出...
利用基于GW近似和Bethe-Salpeter方程(BSE)的第一性原理多体微扰方法,计算了二维间接带隙半导体材料椅形硅烷(chairlike silicane)能带的准粒子修正以及光吸收谱。椅形硅烷的电子间强的相互作用显著影响着电子结构,其间接带隙从2.08 eV修正到3.53 eV,直接带隙从2.44 eV修正到3.85 eV。通过比较GW和BSE的光学吸收谱,...
http://muchong.com/t-6800622-1 我们算的Si的带隙是1.7 eV，而实验值是1.12 eV。请赐教！
作者:郑勇平 陈志高 卢宇 黄志高zno准粒子能带结构gw第一性原理 摘要:理论上对ZnO能带的计算一般采用局域密度近似(LDA),而该方法得到的带隙结果却被严重的低估了。在本文中,我们在密度泛函理论的LDA近似的框架下,通过第一性原理GW近似(GWA)对ZnO的能带进行了修正。在LDA和GWA计算中,将Zn3d电子作为价电子,LDA结果...
GW Band Structure Plots To obtain band structure plots from the GW method, first you have to ...