化学气相沉积系统(冷壁CVD) 冷壁CVD 生长设备是对现有石英管式炉CVD 生长设备功耗大、控制性差、产量低等缺点开发出来的一款新型CVD 生长设备。该设备不仅可以用于石墨烯生长,还可用于六角氮化硼等二维材料薄膜、MBE 薄膜及复合薄膜生长。 1.背景气压低,杂质气体干扰少。 2. 参数控制性好,实验重现性高。 3. 可...
冷壁CVD机台(Cold-wall CVD),在这类机台中,加热源主要集中在衬底上,而反应室的壁部分保持相对较低的温度。衬底通常是通过射频或电阻加热的。在高度控制的条件下,含有所需材料的气体被引入到反应室。由于衬底的高温,这些气体会在衬底上发生化学反应,形成所需的薄膜。 热壁CVD机台(Hot-wall CVD),在热壁CVD机台...
设计的水平冷壁CVD 设备,成功地在4H 2SiC (0001)衬底上外延生长高质量的厚膜的结果.2 实验 同质外延生长是利用低压化学气相沉积(L PCVD )的方法,在水平冷壁石英反应器中完成的.所用SiC 衬底是从Cree 公司购买的单面抛光偏向〈1120〉方向8°的4H 2SiC (0001)衬底,为氮(N )掺杂n 型,掺杂浓度为5×1018cm...
1.一种冷壁法CVD沉积装置,包括底座(2)、沉积管(4)、马达(6)和弹性块(12),其特征在于:所述底座(2)的底表面固定安装有沉积箱(3),沉积箱(3)的顶端内部贯穿安装有沉积管(4),所述沉积管(4)的内部中间固定安装有轴座(10),轴座(10)中间设有框架(9),且框架(9)通过轴杆(8)转动安装在轴座(10)的中间,所...
答案: 冷壁CVD:器壁和原料区都不加热,仅基片被加热,沉积区一般采用感应加热或光辐射加热。缺点是有较大温差,温度均匀性问题需特...点击查看完整答案 手机看题 你可能感兴趣的试题 问答题 【简答题】简述热分解反应、化学合成反应及化学输运反应及其特点。 答案: 热分解反应:在简单的单温区炉中,在真空或惰性...
日前,CVD―W采用的工艺方法为冷壁式低压工艺。可以采用的钨源主要有WF6、WC坛和W(CO)6。ACT8846QM490-T其中,WF6使用最多,其沸点为17℃,直接输人C`0反应器可以精确控制流量,输气管道需要加热保温,以防止WF6的凝聚。WC16的熔点为275℃,在室温下,WC16和W(CO)6一样,都是高蒸气压的固体。
常州招投标代理中心受常州市计量测试技术研究所的委托,对采购人冷壁CVD法制备石墨烯关键工艺参数量值保证方法的研究项目采用竞争性磋商方式邀请供应商进行磋商。现邀请符合条件的供应商参加本次采购磋商,有关事项的具体内容通知如下: 1. 竞争性磋商内容: 功能模块 部件 数量(套) 真空度量值 参比真空计 1 温度量值...
1.本发明属于半导体材料设备技术领域,涉及一种具有冷壁分时分步输运功能的多雾化源mist-cvd设备。 背景技术: 2.生产工艺廉价低成本,可用于大尺寸生长半导体薄膜的技术对于电力电子及光电器件的实际应用有着十分重要的意义,化学气相沉积(cvd,chemical vapor deposition)正好符合这一要求。雾化化学气相沉积(mist-cvd)系统由...
1)按温度:有低温 ( 200 ~ 500℃)、中温 ( 500 ~ 1000℃) 和高温 ( 1000 ~ 1300℃) CVD。 2)按压力:有常压 ( APCVD ) 和低压 ( LPCVD ) 。 3)按反应室壁温度:有热壁 CVD 和冷壁 CVD 。热壁是指壁温高于晶片温度,通常是在反应室外采用电阻发热方式透过室壁对晶片进行加热。冷壁是指壁温低于...
采购商品:冷壁CVD生长设备 采购数量:1 计量单位:台 所属分类:其他试验仪器及装置 品牌:国成仪器 型号:GC-CVD-0100 预算单价:￥ 410000.0 技术参数及配置要求:3.1基本性能指标(优于或不低于下列指标) 1.1 本底极限真空优于5x10-7mbar 2.2 漏率:<10-11mbar·L/s 3.3 真空测量范围:5x10-9mbar~1000mbar 4.4...