海力士发布首个12层堆叠 HBM3内存颗粒:最大单颗支持24GB 海力士宣布,全球首次实现垂直堆叠12个单品DRAM芯片,成功开发出最高容量24GB的HBM3 DRAM新产品,并正在接受客户公司的性能验证。另外表示,这是最高性能DRAM的再次超越,突破了HBM3的技术界限。 去年6月,海力士首次在业界量产HBM3 DRAM,应用在英伟达H100计算卡上...
1TB版收入寿命从200TBW提升到了300TBW。闪存的BiCS4技术采用96层堆叠设计，可用来制造TLC、QLCNAND闪存颗粒，堆栈层96层，同时性能及可靠性大幅提升。
144层堆叠颗粒+SLC动态缓存技术,英特尔固态盘670p发布 继去年12月举行2020 英特尔内存存储日活动后,英特尔在今天正式推出了基于144层QLC(四层单元)技术的客户端固态盘——英特尔固态盘670p。 英特尔公司高级副总裁兼NAND产品和解决方案事业部总经理Rob Crooke 表示:“英特尔固态盘670p基于英特尔144层QLC 3D NAND技术,...
3D NAND是英特尔和镁光的合资企业所研发的一种新兴的闪存类型,通过把内存颗粒堆叠在一起来解决2D或者平面NAND闪存带来的限制。