海力士宣布,全球首次实现垂直堆叠12个单品DRAM芯片,成功开发出最高容量24GB的HBM3 DRAM新产品,并正在接受客户公司的性能验证。另外表示,这是最高性能DRAM的再次超越,突破了HBM3的技术界限。 去年6月,海力士首次在业界量产HBM3 DRAM,应用在英伟达H100计算卡上。当时英伟达向SK海力士采购的是带宽为819 GB/s的HBM3,与...