集合・外延・内包 大出 晁 被引量: 0发表: 2009年 制造GaN混合P-I-N肖特基(MPS)二极管的方法 一种半导体结构包括具有第一侧和与第一侧相反的第二侧的III族-氮化物衬底.III族-氮化物衬底的特征在于第一导电类型和第一掺杂剂浓度.半导体结构还包括III族-氮化物外延结构,该III族-氮化物外延结构包括耦合到III族...