经过共源级的分析,在给定的电源电压下,要获得更高的电压增益,负载阻抗必须尽可能大。 若是一个低阻抗负载,为了使得增益的损失小到忽略不计,就需要在放大器后面放置一个“缓冲器”。 源跟随器,也叫共漏极放大器,便能起到这个缓冲作用。 1、基本结构及工作原理 1.1、跨导和增益 如图3.34(a)所示,源跟随器在提...
MOSFET放大器有共源极 (CS)、共栅极 (CG) 和共漏极 (CD) 三种类型。 1、共源MOSFET放大器 共源放大器可以定义为当 i/p信号在栅极 (G) 和源 (S) 的两端给出时,o/p电压可以通过漏极内负载处的电阻器放大和获得。在此配置中,源端子充当i/p和o/p之间的公共端子。 共源MOSFET放大器与BJT的CE(common...
共源、共栅、共漏为MOS管三种基本放大电路的形式,在小信号分析的时候其等效电路可以看出共源即源级接地(其他同理)。 共源放大电路特点:电压增益高,反向放大,输入阻抗大。 共漏放大电路特点:电压为1,同向放大,输入阻抗大,输出阻抗低(一般做阻抗变换用)。 共栅放大电路特点:电压增益高,同向放大,输入阻抗小。 共...
MOS共漏极放大电路是一种常见的电路配置,其基本工作原理是当输入信号加到MOSFET的栅极时,栅极与源极之间的电压会改变,导致栅极-源极电流的变化。这个变化会通过漏极-源极电流的变化而放大,进而输出一个放大后的信号。由于MOSFET的漏极直接与负载电阻相连,因此漏极电压的变化会直接...
一、MOS管共漏极电路的工作原理 MOSFET是一种常见的半导体器件,被广泛应用于各种电子设备中。在电路设计中,MOSFET可以用于放大电路,其中共漏极放大电路(ADI)是一种常见的配置。共漏极放大电路是指MOSFET的漏极与负载电阻直接相连,信号输入在源极,信号输出在漏极。这种配置具有很多优点,例如...
绿进新能源申请基于高边MOS共漏极的电池包充电限流电路和方法专利，降低了成本 金融界2025年4月2日消息，国家知识产权局信息显示，绿进新能源科技（常熟）有限公司申请一项名为“基于高边MOS共漏极的电池包充电限流电路和方法”的专利，公开号CN 119742898 A，申请日期为2025年3月。专利摘要显示，本发明公开了一种...
深圳市宇宏微电子取得一种漏极共用的沟槽式双MOS管器件专利，可实现对双MOS管器件主体缓冲的效果 金融界2025年4月7日消息，国家知识产权局信息显示，深圳市宇宏微电子科技有限公司取得一项名为“一种漏极共用的沟槽式双MOS管器件”的专利，授权公告号 CN 222720404 U，申请日期为 2024年4月。专利摘要显示，本实用...
综合来看，MOS管和晶体三极管在放大电路中的应用各有千秋。晶体三极管更适合需要快速响应的应用场景，而场效应管则在追求低功耗的应用中更具优势。不论是共漏极放大电路还是共集电极放大电路，其核心目标都是通过不同的控制机制来实现信号的放大，以满足不同的应用需求。
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金融界2025年4月2日消息,国家知识产权局信息显示,绿进新能源科技(常熟)有限公司申请一项名为“基于高边MOS共漏极的电池包充电限流电路和方法”的专利,公开号CN 119742898 A,申请日期为2025年3月。 专利摘要显示,本发明公开了一种基于高边MOS共漏极的电池包充电限流电路和方法,其中充电电路中充电MOS组和放电MOS组...