磁控共溅射法是一种先进的薄膜制备技术,通过在真空环境下施加磁场和高能离子束,将靶材表面的原子和离子溅射出来并在基片表面沉积形成薄膜。 这种技术具有很高的制备效率、均匀性和化学纯度,可以制备出高质量的金属、合金、氧化物、硅基和有机材料等各种薄膜。同时,磁控共溅射法也具有很大的灵活性,可以通过调整沉积参数...
24、为防止au-sn焊料的氧化,用磁控溅射的方法在au-sn焊料上沉积au保护层,优选的,步骤s6包括:在au-sn层上通过磁控溅射技术溅射沉积au保护层,溅射功率为1500w,所述au保护层的厚度为50~400nm,进一步地,au保护层的厚度为100~300nm。 25、优选的,所述步骤s2进行等离子清洗、步骤s3沉积ti层、步骤s4沉积pt层以及步...
摘要 本发明公开了一种磁共溅射法制备的金属过滤膜及其制备方法,该方法包含:步骤1,采用磁控溅射镀膜机,打开设备电源,并打开冷却水、空压机,打开放气阀,待无气压声时打开真空室门,将玻璃样品安放在靶台,关闭真空室门,关闭放气阀,打开机械泵控制电源,打开旁抽阀抽真空;步骤2,关闭旁抽阀,打开前级泵,打开分子泵电源...
摘要 本发明公开了一种直流磁控共溅射法制备ZnO:Al透明导电薄膜的方法,用直流磁控共溅射技术在玻璃基片上制备出具有多晶结构的ZnO:Al透明导电膜,溅射靶为分离的纯金属锌靶和铝靶,调整靶基距为40-80mm,溅射室基础真空为小于1.0×10-3Pa,溅射气体为氩气,反应气体为氧气,溅射室气体压力0.5-3Pa,氩气和氧气流量比值4...
一种磁控共溅射制备Au-Sn合金焊料的方法.pdf,本发明公开了一种磁控共溅射制备Au‑Sn合金焊料的方法,包括:对热沉基底进行加热除气及基底活化;对热沉基底进行等离子清洗;在热沉基底上溅射沉积Ti层;在Ti层上溅射沉积Pt层;确定Au的溅射功率、Sn的溅射功率以及共溅射时间
在此提供用于共同溅射多个靶材的方法和设备的实施方式。所公开的方法和设备可有利地允许共同溅射多个靶,同时实质地最小化或消除在靶之间的交叉污染。 在一些实施方式中,多阴极pvd腔室包括附接到顶部适配器(adapter)的多个阴极(或靶)(例如,5个阴极)。每个阴极可具有dc/脉冲dc或rf靶和相关的磁控管。每个阴极还具有...
一种共溅射稀土旋转靶材、制备方法及其应用方法专利信息由爱企查专利频道提供,一种共溅射稀土旋转靶材、制备方法及其应用方法说明:本发明实施例涉及一种共溅射稀土旋转靶材、制备方法及其应用方法,所述共溅射稀土旋转靶材包括设置于靶材轴...专利查询请上爱企查
共溅射法制备Cu掺杂ZnO薄膜结构及性能的研究*郝嘉伟,叶伏秋,肖立娟,李长山,赵鹤平(吉首大学物理与机电工程学院,湖南吉首416000)摘要:采用直流与射频双靶共溅射的方法在玻璃衬底上制备Cu掺杂的ZnO薄膜,并研究了Cu的溅射功率以及氧分压对薄膜结构和光电性能的影响,利用X射线衍射仪(XRD)、紫外可见光分光光度计(UV-VIS...
20、1、相较于传统的氧化镓薄膜生长,本发明提供了一种新颖的si掺杂氧化镓薄膜生长方法,通过优化溅射工艺参数条件,率先在较高温度下溅射ga2o3种晶层,进而方便后续双靶溅射在表面寻找合适原子位置,提高了薄膜整体性能;同时实验采用ga2o3、sio2共溅射的物理沉积法,在等离子体轰击下,靶面ga、si原子向基片表面移动并沉积...