至此“1”写入存储元。写“0”：在I/O线上输入低电位，在I/O线上输入高电位，把低、高电位分别加在A，B点，使T1管导通，T2管截止，至此“0”写入存储元。
摘要 本发明提供一种六晶体管静态随机存储器单元,所述存储器单元至少包括:第一反相器,由第一PMOS晶体管及第一NMOS晶体管组成;第二反相器,由第二PMOS晶体管及第二NMOS晶体管组成;传输门,由第三NMOS晶体管及第四NMOS晶体管组成;其中,所述第一PMOS晶体管、第一NMOS晶体管、第二PMOS晶体管及第二NMOS晶体管均采用...
六管NMOS静态存储单元
百度试题 结果1 题目用六管静态存储单元构成1024bit旳RAM,假如输出为Y1Y2,则地址为( b ),MOS管旳个数为( ) A. A~ A7 B. A~ A8 C. A~ A9 D. 4096 E. 6144 F. 8192 相关知识点: 试题来源: 解析 e 反馈 收藏
六管MOS静态存储单元的版图设计,包括电路图,版图,以及实验报告 版图2009-12-28 上传大小:397KB 所需:50积分/C币 版图设计与应用 在学习版图的绘制时,可以利用有效资源学习 上传者:u010259096时间:2013-04-11 大规模集成电路版图设计 大规模集成电路版图设计的ppt资料 #大规模集成电路版图设计的ppt资料 ...
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百度试题 结果1 题目下列各种存储单元的电路中,读数据时属于破坏性读出的存储是( ) A. 双极型存储单元 B. 静态MOS型六管存储单元 C. 动态MOS四管存储单元 D. 动态MOS型单管单元 相关知识点: 试题来源: 解析 D 反馈 收藏