本周《涨知识啦》主要给大家介绍的是深紫外发光二极管中的电流拥挤效应。目前深紫外发光二极管(DUV LED)主要采用倒装结构来降低紫外光自吸收的问题,所以芯片的p-型电极焊盘和n-型电极焊盘只能制备在外延片表面的同一侧,常见器件结构及等效电路如图1所示。由于电流扩展层(CL)的厚度远小于n型AlGaN层的厚度,所以CL层的横向电阻RCL大于n型A
一种基于对比度调制光栅的视觉拥挤效应评估方法 喜欢 0 阅读量: 6 申请(专利)号: 202310043754 申请(专利权)人: 合肥科飞康视科技有限公司 发明人: 周泽坤 收藏 引用 批量引用 报错 分享 全部来源 求助全文 cprs.patentstar.com.cn 站内活动 0关于我们 百度学术集成海量学术资源,融合人工智能、深度学习、...
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