虽然使用具有高度工艺控制的代工服务来制造纳米结构设备的趋势日益增加,但许多原型设计和研究工作仍使用电子束光刻(EBL)。电子束光刻是一个复杂的过程,涉及许多相互作用的参数;为了实现期望的波长响应和性能,研究人员通常会制造多个参数略有不同的设备,或者使用后处理调节或修整技术,这些都增加了设备制造的开销。因此,精确...
JBX-9500FS是一款100kV圆形束电子束光刻系统,兼具世界zei高水平的产出量和定位精度,zei大能容纳300mmφ的晶圆片和6英寸的掩模版,适合纳米压印、光子器件、通信设备等多个领域的研发及生产。 此外,由于具有100MHz的zei快扫描速度,场尺寸在1000µm×1000µm时的套刻精度达到±11nm、场拼接精度为±10nm、写场内...
利用zei细电子束束斑(实测值直径≦2.9nm)可以描画8nm以下(实际可达5nm)极为精细的图形。 日本电子JBX-6300FS 电子束光刻系统 光子器件由日本电子株式会社(JEOL) 为您提供,如您想了解更多关于日本电子JBX-6300FS 电子束光刻系统 光子器件报价、参数等信息 ,欢迎来电或留言咨询。 注:该产品未在中华人民共和国食品...
将多束涡旋光束进行同轴或离轴叠加,使光束能量在空间中呈手性螺旋分布,基于干涉涡旋光束的单次曝光,实现微螺旋结构的高效制备。 图3(a)空间光调制器辅助的飞秒激光双光子加工系统;(b)空间光调制上的加载相位;(c)离散涡旋光束全息图及聚焦光斑 04 总结 在过去十几年里,基于空间光调制器的飞秒激光双光子加工技术有...
Veeco Instruments Inc.专业生产: MOCVD;光刻;离子束;IBD;IBE;VCSEL;LED;Veeco;光子学;GaN;化学气相沉积设备;外延设备;蚀刻设备;离子束沉积设备;溅射设备;薄膜沉积设备;旧的/剩余的制造设备;组件配件;真空设备 Veeco Instruments Inc.产品包括: MOCVD;光刻;离子束;IBD;IBE;VCSEL;LED;Veeco;光子学;GaN;化学气相沉积...
随着电子束光刻及深紫外光刻的方法更多的应用到纳米光子器件制作中,使得光器件的体积大大缩小,越来越多的功能可以集成到同一个光子集成回路中.本文深入的研究了电子束光刻工艺方法及深紫外光刻工艺方法的基本原理及工艺过程,并同时将这两种方法应用到通信波段光子晶体的制作中,通过工艺参数优化,都得到了较好的硅基光子晶...
投影式光刻机有分辨率高、可重复性好等优点,它通常采用准分子激光器产生的深紫外光束和真空中波长为120nm的极紫外光束。 已知深紫外光光子动量 p=3.3*10^(-27) kg· m/s,取 h=6.6 ×10 4J ·s, c=3*10^8m/s 下列说法正确的是() A.与波长较长的红光相比,在空气中极紫外光更容易发生明显的衍射现象...
文中报道了该合作团队利用PTB的计量光源(Metrology Light Source,MLS)及相关实验设备,成功完成了世界首次“稳态微聚束”(steady-state microbunching,SSMB)的原理验证实验,提出了一种新型的粒子加速器光子源。该光子源能够产生高重复频率、高功率的辐射,波长范围能够达到太赫兹尺度到极紫外,有望成为新的EUV光刻机光源...
在众多基于激光的技术中,双光子光刻(TPL)或也称为双光子聚合(TPP)最适合于构建定义明确的三维微/纳米结构,因为它为构建具有超越衍射极限的无与伦比的高空间分辨率的结构打开了大门。此外,通过使用强度略高于聚合阈值的激光束,可以获得局部聚合和亚衍射极限特征尺寸。它的独特之处在于它能够构建真正的三维独立结构。
EUV光刻用于晶圆厂的芯片生产,它使用一个巨大的扫描仪在高级节点上对芯片的微小特征进行图案化,在操作中,EUV的扫描仪产生光子,最终与晶圆上的光敏材料光刻胶相互作用,以形成精确的特征化图案。 不过,并不是每次都可以实现精确图案化,在EUV中,光子撞击光刻胶发生反应且这一动作重复多次,这些过程充满不可预测性和随机...