解决：优化曝光剂量和显影条件；使用增强粘附性的预处理（如HMDS处理衬底）；校准旋涂工艺（转速、温度、湿度）。2. 刻蚀选择比不足 现象：光刻胶在刻蚀过程中被过度消耗，或衬底材料被意外刻蚀。原因：刻蚀气体选择不当（如对光刻胶和衬底的刻蚀速率差异小）；光刻胶抗刻蚀能力弱（如抗等离子体性能差）。解决
光刻是利用光敏性物质,在光照下形成图形,经过显影、清洗等步骤将图形转移到衬底上的工艺。而蚀刻是将光刻形成的图形转移到衬底上后,通过化学反应将图形转移至衬底内部的工艺。 二、 光刻蚀工艺步骤 光刻蚀工艺步骤包括:衬底制备、光刻胶涂覆、预烘烤、曝光、显影、后烘烤、蚀刻和清洗。 1. 衬底制备 衬底...
c） 激光直接成像（LDI）：使用聚焦激光将图案直接写入涂有光刻胶的表面 提供高分辨率和灵活性 非常适合...
不过,目前刻蚀工艺的问题在于工艺步骤比纳米压印更多,因而成本偏高,这一问题会随着后续大规模出货得到解决。 总而言之,刻蚀工艺相较于纳米压印具有多方面优势,是目前行业极具潜力的技术路线之一,近年来新闻报道不时传出光波导在FOV、彩虹纹控制、亮度表现等方面实现了较大突破,背后有较大概率离不开刻蚀工艺的功劳。 ...
光刻工艺是半导体器件制造工艺中的一个重要步骤,该步骤利用曝光和显影在光刻胶层上刻画几何图形结构,然后通过刻蚀工艺将光掩模上的图形转移到所在衬底上。自1961年第一台光刻机诞生以来,光刻机经历了接触式→接近式→投影式的发展路线,如今以投影式中的步进扫描式光刻机
光芯片沉积刻蚀工艺是一种重要的微纳加工技术,用于制造光电子器件。它利用光刻技术先在硅片上形成光刻胶图案,然后通过沉积或刻蚀等工艺将所需的结构形成在硅片上。 二、工艺流程 光芯片沉积刻蚀工艺流程包括以下几个步骤: 1. 光刻胶涂覆:在硅片表面涂覆一层光刻胶。 2. 曝光:利用光刻机将芯片暴露在...
光刻工艺是复杂的多步骤图形转移工艺,包含十多个步骤。其关键步骤有涂胶、曝光和显影,此外还涵盖清洗硅片、预烘和打底胶、对准、曝光后烘烤、坚膜、刻蚀、离子注入、去除光刻胶等。光刻胶在光刻工艺里充当抗腐蚀涂层材料,受紫外光、深紫外光、电子束等光源照射后,溶解度改变,经曝光、显影、刻蚀等操作,把掩膜板图形...
近日,歌尔股份控股子公司歌尔光学科技有限公司(以下简称“歌尔光学”)在美国SPIE (国际光学工程学会)AR | VR | MR 大会上,发布采用表面浮雕刻蚀光栅工艺的全新AR全彩光波导显示模组Star G-E1,实现在AR光学镜片先进刻蚀工艺的新突破,助力AR眼镜实现更优异的显示效果。
广纳四维在衍射光波导的制造技术中同时布局表面浮雕光栅两个主要生产工艺方向:纳米压印工艺和刻蚀工艺,现已通过刻蚀工艺制备出首批40°单片全彩衍射光波导镜片样品,助力超轻薄衍射光波导镜片在AR眼镜中的推广与使用。 图1广纳四维(SeeV)刻蚀镜片样品 图2 广纳四维(SeeV)刻蚀镜片样品显示效果 ...
除了对特征#1阱掩膜#3接触图形尺寸和图形对准的控制，掩膜在工艺过程中的缺陷水平的控制也同样是非常重要的。光刻#4金属操作步骤的数目之多和光刻工掩膜艺层的数量之大，所以光刻工#5PAD艺是一个主要的缺陷来源。掩膜 8.2光刻蚀工艺概况光刻蚀是一种多步骤的图形转移过程，首先是在掩膜版上形成所需要的图形，之后...