4.2。根据查询X技术官网信息显示，su-8光刻胶的介电常数是4.2，损耗角正切为0.042。光刻胶是一种在半导体制造过程中广泛使用的光化学高分子材料，具有优异的光学、化学、机械性能，被用于制造集成电路和微电子器件。
4.根据权利要求1所述的天线,其特征在于,聚酰亚胺薄膜的相对介电常数为3.5,损耗角正切为0.0026。 5.根据权利要求1所述的天线,其特征在于,su8的相对介电常数为4.2,损耗角正切为0.042。内部挖空形成一个凹穴支架。 6.根据权利要求1所述的天线,其特征在于,基板采用的材料是ad300aarlonmed,相对介电常数为3,损耗角...
2011年科研热词su-8光刻胶飞秒激光轮廓法超声时效自写入聚合物微透镜阵列微加工微光学元件双光子聚合分辨率内应力光学器件光刻胶热熔法su-8胶推荐指数21111111111111 2012年序号12345678910111213141516171819202122 科研热词su-8光刻胶超声时效技术超声处理相位差测量电铸溶胀液体介电常数法布里-珀罗干涉断裂强度微针微注塑模具幅...
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PSPI类似于光刻胶,在紫外光、α射线、X射线等的辐射下,被照射部分的结构会发生变化,能够溶解在相应溶剂中,可以用于制作精密的图案。 PI有什么优良特性? 介电特性好:介电常数通常在3.0到3.5之间,改良后可降至2.5;介电强度很高,通常在200至300 kV/mm之间;体积电阻率非常高,在10^16至10^18 Ω·cm之间;表面电...
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