光刻是半导体芯片生产流程中最复杂、最关键的工艺步骤,耗时长、成本高。半导体芯片生产的难点和关键点在于将电路图从掩模上转移至硅片上,这一过程通过光刻来实现, 光刻的工艺水平直接决定芯片的制程水平和性能水平。 每个半导体产品的制造都需要数百个工艺,我们将整个制造过程分为八个步骤:晶圆加工-氧化-光刻-刻蚀-薄膜沉积-外延生长-扩
所谓Lift-Off工艺,即揭开一剥离工艺,是一种集成电路工艺,可以用来省略刻蚀步骤。 图1、普通光刻工艺示意图 我们先来看一下普通的光刻工艺(如图1所示):首先进行成膜,然后将涂布在基板上的光刻胶进行图形化曝光,显影除去曝光的光刻胶,接着进行刻蚀,最后将剩余光刻胶剥离,留在基板上的就是需要的成膜图形。 图2、...
半导体光刻工艺三种曝光方式 紫外线光源一般是利用紫外光(波长365nm、436nm)和远紫外光(193nm、248nm)的波段,常见曝光方式有接触式、接近式和投影式三种,如下图: 不同曝光方式的优劣势对比 主流平行曝光方式及系统示意图
网友做的一张我国光刻厂的示意图,很形象 û收藏 209 342 ñ2298 评论 o p 同时转发到我的微博 按热度 按时间 正在加载,请稍候...硬件学堂官方微博 Ü 简介: 由行业资深媒体人运营,为粉丝解决手机电脑数码等产品的疑难杂症,我们不只谈硬件! T 友情链接 更多a 887关注 ...
光聚合反应示意图 光分解型光刻胶,采用含有重氮醌类化合物(DQN)材料作为感光剂,其经光照后,发生光分解反应,可以制成正性光刻胶;光交联型光刻胶采用聚乙烯醇月桂酸酯等作为光敏材料,在光的作用下,形成一种不溶性的网状结构,而起到抗蚀作用,可以制成负性光刻胶。 光分解反应示意图 在半导体集成电路光刻开始使...
DUV光刻机投影物镜示意图(折射式)◆,数据源于海外半导体设备巨头巡礼系列:详解光刻巨人ASML成功之奥妙-241015(94页).pdf。
光刻胶-动态喷洒法涂胶过程示意图 随着IC集成度的提高,世界集成电路的制程工艺水平按已由微米级、亚微米级、深亚微米级进入到纳米级阶段。集成电路线宽不断缩小的趋势,对包括光刻在内的半导体制程工艺提出了新的挑战。在半导体制程的光刻工艺中,集成电路线宽的特征尺寸可以由如右所示的瑞利公式确定:CD= k1*λ/NA ...
图中是一个电子马达启动电路的示意图。该电机启动器可保护单相电机免受电压波动和过载的影响。其突出的功能是操作简单的软开/关电子开关。 2022-07-02 09:42:05 euv光刻机原理是什么 光刻机的原理是接近或接触光刻,通过无限接近,将图案复制到掩模上。直写光刻是将光束聚焦到一个点上,通过移动工作台或透镜扫描...
芯片生产工艺复杂,设备和材料是推动芯片等半导体产业进步的关键因素。下图为小米芯片的产业链示意图。读图完成下面小题ASML公司(光刻制造设备
小型台式无掩膜直写光刻系统- MicroWriter ML3 图文导读 图1. 使用MoS2制备人工神经网络芯片图示。(a)生物神经元的数学类比。(b)基于MoS2人工神经元的示意图。(c)人工神经芯片数据处理示意图。(d)由MicroWriter ML3所制备的人工神经网络芯片光学放大图。(e)基于MoS2的人工神经网络芯片示意图。