EUV光要通过EUV薄膜两次,一次入射到EUV掩模,另外一次出射到EUV投影光学系统,这导致EUV薄膜的温度将升高600-1000摄氏度,所以对材料的透光率和热效应要求极高。 6英寸EUV掩模极其昂贵,单块成本超过30万美元,尤其是大芯片的掩膜,没有EUV薄膜的保护是万万不能的,比如英伟达的H100 AI芯片,800亿个晶体管,台积电采用4N工艺...
综合来看，EUV光刻机的制造难度颇高，这使得EUV光刻机的产能相对较低，价格也十分昂贵。然而，尽管面临这些挑战，EUV光刻机仍然受到了台积电、三星等厂商的争抢。这是因为EUV光刻机具有极高的分辨率和精度，能够生产出更小、更复杂的电路图案。这对于高端芯片的生产至关重要，尤其是在7纳米、5纳米等先进制程中，EU...
EUV光刻技术相较于DUV技术，在制程上有着更高的复杂度。这主要体现在对真空环境的要求、光刻机光学系统的设计以及特殊材料的制备等方面。例如，EUV光刻需要在高真空环境中进行，以减少空气对极紫外光的吸收和散射。同时，EUV光刻机的光学系统也需要更为精密的设计，以确保极紫外光能够准确地投射到硅片上。这些额外...
可实现更小晶体管的下一代技术是高数值孔径EUV光刻。 摩尔定律是指在给定面积的硅片上,晶体管的数量大约每两年翻一番,这种增益推动了计算技术的发展。在过去半个世纪里,我们将该定律视为一种类似进化或衰老的不可避免的自然过程。然而,现实却大不相同。要跟上...
EUV光刻机和DUV光刻机在制程范围上有着明显的区别。EUV光刻技术能满足10纳米以下的晶圆制造需求，这是由于其使用的极紫外光具有更短的波长，从而实现了更高的分辨率。这种高分辨率使得EUV光刻机能够支持更先进的制程技术，如7纳米、5纳米甚至更小的工艺节点。相反，DUV光刻机在制程上基本上只能做到25纳米，即使通过...
现在，EUV（极紫外）光刻机和DUV（深紫外）光刻机是半导体产业中两种主流光刻技术。它们在制作过程、性能、用途和发展趋势等多个方面都有明显的差异。本文将从多个角度全面而深入地对比EUV和DUV光刻机，希望能为读者提供关于这两种光刻技术的清晰和全面的理解。通过深入分析这些差异，我们可以更好地理解各自技术的...
很容易推断，如果 59 个配备 EUV 光刻机的尖端半导体生产设施每年消耗 54,000 GW，则每个设施每年将消耗 915 GW，与最先进的数据中心的电力消耗相当。预计到 2030 年，配备 EUV 的晶圆厂数量将增加近一倍，而电力消耗也将增加一倍以上，电力基础设施将面临重大挑战，因为即使在今天，AWS、谷歌、Meta 和微软等公司...
对比了单次EUV光刻和多重曝光的水浸没式193nm光刻的结果 在2023年之前，ASML中最尖端的EUV光刻机分别是TWINSCAN NEX:3400C和TWINSCAN NEX:3400D，它们的售价大约是1.7亿欧元。这两种光刻机都使用了一种特殊设计的光学掩膜版，它能产生一个非常小的图形并且具有极高的精度。它的NA仅为0.33，其对应的分辨率达到...
EUV 光刻是以波长为 10-14nm 的极紫外光作为光源的芯片光刻技术,简单来说,就是以极紫外光作“刀”,对芯片上的晶圆进行雕刻,让芯片上的电路变成人们想要的图案。如今,世界上最先进的 EUV 光刻机可以做到的“雕刻精度”在 7nm 以下,比一根头发的万分之一还要细。华为自主研发设计的麒麟 990芯片,采用的就是 ...