湿法刻蚀需要选择粘附性好的胶，还需要做增附处理；③ LIGA：与湿法腐蚀类似，需要选择与衬底粘附性好的胶，防止在液体中发生漂胶现象；④ 离子注入：需要选择一定厚度的耐温性和机械稳定性好的胶，高剂量离子注入后会导致光刻变性，需要使用去胶机进行去除。光刻胶底切和顶切对lift-off工艺的影响 10. 去胶（re...
工艺流程:在衬底表面沉积一层牺牲材料(sacrifice layer)(CVD材料)→进行光刻和刻蚀,将掩模上的图形转移到牺牲材料层上,牺牲材料层上的图形称为mandrel或core→使用原子层沉积技术(ALD)在mandrel的表面和侧面沉积一层厚度相对比较均匀的薄膜(spacer材料)→使用RIE工艺将沉积的spacer材料再刻蚀掉,称为etch back [由于mand...
解析 答:光刻的工艺流程共分7步:(1)涂胶,(2)前烘,(3)曝光,(4)显影,(5)坚膜 (6)刻蚀,(7)去胶。分辨率是指线条和间隔清晰可辨时每mm中的线对数。从物理的角度看,限制分辨率的因素是衍射。最长用的曝光光源是紫外光。反馈 收藏
一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀、检测等工序。 1.衬底预处理(Substrate Pre-treatment): 半导体衬底是一种用于制造半导体器件的材料基底。半导体衬底是最常用的半导体材料之一,常用的半导体衬底包括硅、锗和碳化硅等。半导体衬底具有良好的电学特性和...
列举光刻工艺流程。(12分) 相关知识点: 试题来源: 解析 答:一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准 曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀、检测等工序。 (1)硅片清洗烘干 方法:湿法清洗+去离子水冲洗+脱水烘焙(热板150~2500C,1~2分钟,氮 气保护) 目的:a、除去表面的污染物(颗粒、...
以上是光刻工艺的流程示意图 (1)涂胶:即在硅片上形成厚度均匀、附着性强、没有缺陷的光刻胶薄膜。为了增强光刻胶薄膜与硅片之间的附着力,往往需要先用六甲基二硅氮烷(HMDS)、三甲基硅烷基二乙胺(TMSDEA)等物质对硅片进行表面改性。随后以旋涂的方式制备光刻胶薄膜。
1）LELE（LITHO-ETCH-LITHO-ETCH 光刻-刻蚀-光刻-刻蚀）：原理是把原来一层光刻图形拆分到两个或多个掩膜上，利用多次曝光和刻蚀来实现原来一层设计的图形。图6 LELE工艺流程图 2）LFLE（LITHO-FREEZE-LITHO-ETCH 光刻-固化-光刻-刻蚀）：原理是将第二层光刻胶加在第一层已被化学冻结但没去除的光刻胶上，...