典型封装技术包括:1)倒片封装(Flip-Chip):芯片倒置,舍弃金属引线,利用凸块连接;2)扇入型/扇出型封装(Fan-In/Fan-Out):在晶圆上进行整体封装,成本更低,关键工艺为重新布线(RDL);3)2.5D/3D封装:2.5D封装中芯片位于硅中介层上,3D封装舍弃中介层,进行多芯片堆叠,在基板上方有穿过芯片的硅通孔(TSV);4)SiP封装...
先进封装开始崭露头角,以苹果和台积电为代表,开启了一场新的革命,其主要分为两大类,一种是基于XY平面延伸的先进封装技术,主要通过RDL进行信号的延伸和互连;第二种则是基于Z轴延伸的先进封装技术,主要通过TSV进行信号延伸和互连。前者为2D先进封装,代表为FOWLP和FOPLP等,而后者即为3D封装,代表为SoIC和Foveros等,目...
与SOC的单片集成理念相反,Chiplet(芯粒或小芯片)是将一块原本集成各种IP的SOC单芯片从设计时按照不同功能进行分解,再把每个分解单元用最合适的半导体制程工艺进行分别制造,再通过先进封装技术将各单元集成封装成一个系统级的芯片组。 二、SiP和MCM封装 系统级封装 (SiP) 是具有多个裸片的集成电路 (IC) 封装的总称。
先进封装工艺 封装工艺概述 封装工艺概述 ▪封装工艺定义和分类 1.封装工艺是将芯片封装到细小的封装体中，以便安装到设备中使用的过程。2.封装工艺可分为两类：传统封装和先进封装。传统封装主要采用引线框架和塑封技术，而先进封装则包括倒装焊、晶圆级封装等。▪封装工艺的发展历程 1.封装工艺伴随着集成电路的...
2.2先进封装工艺梳理 先进封装的特点:1.不采用传统的封装工艺,例如:无Bonding Wire;2封装集成度高,封装 体积小;3.内部互联短,系统性能得到提升4单位体积内集成更多功能单元,有效提升系统功能 密度。 先进封装工艺:倒装焊(Flip Chip)、 晶圆级封装(WLP) 、2.5D封装(Interposer) 、3D封装 (TSV)、Chip let等。
先进封装工艺:倒装焊(Flip Chip)、 晶圆级封装(WLP) 、2.5D封装(Interposer) 、3D封装 (TSV)、Chiplet等。 扇入型和扇出型封装:WLP 可分为扇入型晶圆级封装(Fan-In WLP)和扇出型晶圆级封装 (Fan-Out WLP)两大类:扇入型:直接在晶圆上进行封装,封装完成后进行切割,布线均在芯片尺寸内完成,封装大小和芯片尺寸...
1.封装工艺是将芯片封装到细小的封装体中，以便安装到设备中使用的过程。2.封装工艺能够保护芯片免受机械和外部环境的影响，同时提高芯片的可靠性和性能。3.随着技术的不断发展，封装工艺已成为半导体制造中不可或缺的一部分。▪先进封装工艺的类型 1.倒装芯片封装：将芯片倒装在基板上，通过凸点实现电气连接，具有...
摩尔定律经济能效降低,先进封装拓展芯片升级方向 摩尔定律经济效益遇到瓶颈,芯片制造进入后摩尔时代。摩尔定律指的是随着技术的升级,芯片承载的晶体管数量每隔 18-24 个月便会成倍增加,同时性能增加一倍或成本减少一半。 随着芯片技术的演进,研发周期拉长,制程工艺迭代需花费更长时间。由于微观层面物理极限的限制,单位晶体...
先进封装工艺:倒装焊(Flip Chip)、 晶圆级封装(WLP) 、2.5D封装(Interposer) 、3D封装 (TSV)、Chip let等。 扇入型和扇出型封装:WLP 可分为扇入型晶圆级封装(Fan-In WLP)和扇出型晶圆级封装 (Fan-Out WLP)两大类: 扇入型:直接在晶圆上进行封装,封装完成后进行切割,布线均在芯片尺寸内完成,封装大 小和芯...
先进封装主要是指倒装(FlipChip),凸块(Bumping),晶圆级封装(Waferlevelpackage),2.5D封装(interposer,RDL等),3D封装(TSV)等封装技术。 先进封装在诞生之初只有WLP,2.5D封装和3D封装几种选择,近年来,先进封装的发展呈爆炸式向各个方向发展,而每个开发相关技术的公司都将自己的技术独立命名注册商标,如台积电的InFO、Co...